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Descripción del producto: El transistor MOS-Gate de alto voltaje, comúnmente conocido como FET de alto voltaje, es un tipo de dispositivo semiconduc...
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Detalle del producto EmpaquetadoCorte la cinta (los CT)Situación de la parteInterrumpido en Digi-KeyTipo del FETCanal NTecnologíaMOSFET (óxido de meta......
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Circuitos integrados N/A MRF150 del microcontrolador de IC MCU de los componentes electrónicos MRF150 Especificación art...
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Solos transistores del canal N 60V 10.8A del MOSFET DMT6009LSS-13 Semiconductor discreto del MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 de los FETS Es...
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FET internamente hecho juego de la banda X del transistor de poder de FLM0910-25F RF DESCRIPCIÓN El FLM0910-25F es un FET del GaAs del poder que está ......
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Componentes originales del FET IC del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305 FET original TO-3P del MOS del canal N del sili...
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FDV303N Transistores FET digitales de N-canal en semicanal de RF El fabricante: en semi Categoría de producto: MOSFETs La norma RoHS:...
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Especificaciones de NTZD3154NT1G Situación de la parte Activo...
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HF excelente del FET 28V del transistor LDMOS del amplificador de potencia del Rf de la estabilidad de Theramal a 2.7GHz...
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De NTTFS3A08PZTAG de los transistores de los FETs solo P-CH 20V 9A 8WDFN P-canal de los MOSFETs Descripción de productos: 1. -20V, - 15A, 6,7 Mω...
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Producto: Transistores de poder de HMC442LC3BTR RF Descripción: El HMC442LC3BTR es una alta ganancia, poder medio GaN en sic el FET...
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Descripción de productoMOSFET del FET del transistor 180A 200W HEXFET del canal N de IRF1404ZPBF Canal N 180A 200W de los transistores de IRF1404ZPBF...
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SERIE DEL FET DEL FOSO DEL CHIP CI SUD50P06-15L-E3 TO252 DEL CIRCUITO INTEGRADO DE P-CH Las mercancías condicionan: A estrenar Sit...
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El transistor del efecto de campo del modo del aumento del canal N de NX7002AK NEXPERIA (FET) en un pequeño SOT23 (TO-236AB) Superficie-montó DEspecif......
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¡ST a estrenar de la marca de la original el 100% del original del paquete TO-263- 3 del número de parte STB270N4F3 STB270N del número de modelo del ......
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Número de parte: AOTF14N50 Descripción: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F Categoría: Semiconductor discreto Products>>FETs - escoja Empaquetado: Tubo Tipo ......
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Canal N 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) de IPP65R110CFDA a través del agujero PG-TO220-3 Características: Categoría Solos FETs, MOSFETs Mfr Infineon ......
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El transistor de alto voltaje original del Mosfet, trabajo y las características del transistor del Mosfet del voltaje de Using Transistor High del ......
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