Serie integrada del fet del foso del microprocesador SUD50P06-15L-E3 del transistor de poder del Mosfet

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Serie integrada del fet del foso del microprocesador SUD50P06-15L-E3 del transistor de poder del Mosfet

Number modelo:SUD50P06-15L-E3

Lugar del origen:Fabricante original

Cantidad de orden mínima:Cantidad de orden mínima: 10 PCS

Condiciones de pago:T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer

Capacidad de la fuente:1000

Plazo de expedición:Dentro de 3days

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Tecnología Co., Ltd de Shenzhen Huahao Gaosheng

Miembro activo

Shenzhen China

Dirección: 2A2003, edificio 2, jardín de Baohuju, avenida de 200 Huaqing, comunidad de Qinghu, calle de Longhua, distrito de Longhua, Shenzhen

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SERIE DEL FET DEL FOSO DEL CHIP CI SUD50P06-15L-E3 TO252 DEL CIRCUITO INTEGRADO DE P-CH

Las mercancías condicionan:	A estrenar	Situación de la parte:	Activo
Sin plomo/Rohs:	Denuncia	Función:	Mosfet
Montaje del tipo:	Soporte superficial	Paquete:	TO-252
Alta luz:	transistor del mosfet del canal N , transistor del canal N

Serie del MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFET del chip CI del circuito integrado SUD50P06-15L-E3

P-canal 60 V (D-S), MOSFET de 175 °C

CARACTERÍSTICAS
1, MOSFET del poder de TrenchFET®
2, temperatura de empalme de 175 °C
3, obediente a RoHS 2002/95/EC directivo

Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Empaquetado	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	P-canal
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	50A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	165nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	4950pF @ 25V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	3W (TA), 136W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	15 mOhm @ 17A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252, (D-Pak)
Paquete/caso	TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE	MFG/BRAND	NÚMERO DE PARTE	MFG/BRAND
9LPRS133BKLFT	IDT	ISL62882HRTZ-T	INTERSIL
1ZB18	TOSHIBA	S1D13513B00B200	EPSON
W2F15C1038AT1A	AVX	MABACT0071	MA/COM
UP7719ASU8	MICRÓFONO	CRG05 (TE85L, Q)	TOSHIBA
MSN3010-472	COILCRAFT	PCI2050IPDV	TI
HA2-5033/883	HARRIS	MP4013	TOSHIBA
SLQ2592	UDMHGT	LT1017CS8	LINEAR
PACDN010QS	CMD	FBMH2012HM121-T	TAIYO
APL431AAC-TRG	ANPEC	MSP3415G-B8-V3	MICRONAS
ADM4850ARZ	ADI	LTC5505-2ES5#TRPBF	LT
23Z104SMNLT	PULSO	LPR550ALTR	ST
TMX320DM8148CCYE2	TI	TLE4269GL	SIEMENS
TJA1050	PHLIPH	PS8710BTQFN24GTR2-A1	DESFILE
LM2674MX-ADJ	NSC	CXD3117AR	SONY
BCM56340AOKFSBG	BRADCOM	ADS1000A0QDBVRQ1	TI
TPS79901DRVT	TI	TC74VHC273FT	TOSHIBA
TC358723XBG	TOSHIBA	MCM20027IBBL	MOTOROLA
STI5202DUD	ST	SC2677TSTR	SEMTECH
ST16C552CJ	EXAR	RT9181CB	RICHTEK
VIPER53-DIP-E	ST	DS2482S-100+T$R	MÁXIMA

Etiquetas de productos:

Serie integrada del fet del foso del microprocesador SUD50P06-15L-E3 del transistor de poder del Mosfet

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transistor del mosfet del canal N

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