FET SOT23 TO-236AB D montada superficie del transistor de efecto de campo de NX7002AK NEXPERIA

Number modelo:NX7002AK

Lugar del origen:CHINA

Cantidad de orden mínima:Qty del paquete

Detalles de empaquetado:cinta y carrete

Plazo de expedición:2 semanas

Condiciones de pago:T/T

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Shenzhen China

Dirección: Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China

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Detalles del producto

El transistor del efecto de campo del modo del aumento del canal N de NX7002AK NEXPERIA (FET) en un pequeño SOT23 (TO-236AB) Superficie-montó D

UE RoHS	Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Activo
SVHC	Sí
Automotriz	No
PPAP	No
Categoría de producto	Pequeña señal
Configuración	Solo
Tecnología de proceso	TMOS
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	N
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	60
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v)	2,1
Dren continuo máximo (a) actual	0,19
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA)	2000
IDSS máximo (UA)	1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm)	4500@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta	0.33@4.5V
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)	15@10V
Disipación de poder máxima (mW)	325
Tiempo de caída típico (ns)	5
Tiempo de subida típico (ns)	7
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	11
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	6
Temperatura de funcionamiento mínima (°C)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C)	150
Empaquetado	Cinta y carrete
Paquete del proveedor	SOT-23
Pin Count	3
Nombre del paquete estándar	BORRACHÍN
Montaje	Soporte superficial
Altura del paquete	1 (máximo)
Longitud del paquete	3 (máximo)
Anchura del paquete	1,4 (máximo)
El PWB cambió	3
Forma de la ventaja	Gaviota-ala

Etiquetas de productos:

transistor de efecto de campo del MOS 3 fases de la luz Identificación del diodo de montaje en superficie

Carro de la investigación 0

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