Productos proveedores Sign in Register

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
8 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / Mosfet Power Transistor /

Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto

Categorías de Producto

Chip CI del circuito integrado

 [1016]

Chip CI programable

 [57]

chip CI electrónico

 [139]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [56]

transistor de poder del mosfet

 [86]

Condensador de fines generales

 [48]

Módulo de alimentación IGBT

 [26]

interruptor de la retransmisión del poder

 [22]

Inductor de la gota de ferrita

 [14]

Oscilador superficial del soporte

 [16]

Piezas del interruptor de eje de balancín

 [6]

chip de alta potencia led

 [6]

Varistor

 [4]
Contacta
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
Ver detalles de contacto
Contacta
China Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto wholesale
  • China Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto wholesale
  • China Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto wholesale

Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto
Preguntar último precio
Número de modelo :FLM0910-25F
Lugar del origen :JP
Cantidad de orden mínima :1 pedazo
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10000 pedazos por año
Plazo de expedición :1-2 días hábiles
Detalles de empaquetado :embalaje estándar de la fábrica
Voltaje de la Dren-fuente :15V
Voltaje de la Puerta-fuente :-5V
Disipación de poder total :93.7W
Temperatura de almacenamiento :-65 a +175℃
Temperatura del canal :175℃
Corriente máxima del dren :16.2A
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

La banda X del transistor de poder de FLM0910-25F RF internamente hizo juego el FET

 

DESCRIPCIÓN

 

El FLM0910-25F es un FET del GaAs del poder que está internamente las bandas estándar de la comunicación del matchedfor para proporcionar poder y aumento óptimos en un 50Ωsystem

 


 

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE MFG/BRAND 　 NÚMERO DE PARTE MFG/BRAND
TMS27C128-15JL TI 　 SE5014F-R SKYWORKS
ICS9248AG-150 ICS 　 KTN0405AS-TFR1 LEAHKINN
HYB25L128160AC-7.5 QIMONDA 　 54LS02DMQB FAIRCHILD
CAT24WC02LI CATALIZADOR 　 TMS320C6202GJLA200 TEXAS INSTRUMENTS
TPS2062DR TI 　 K9LDGD8U1A-HIK0 SAMSUNG
SN75LVDT386DGGR TI 　 ISL95855HRTZ INTERSI
SC431LCSK-1.TR SEMTECH 　 M25P40-VMN6TPB MICRÓN
SI2323CDS-T1-E3 VISHAY 　 TQF6297H TRIQUINT
PZM5.6NB2 NXP 　 SYN256CQNC SILERGY
NT1702A-HFKA7 NEOTEC 　 PI49FCT3805DQE PERICOM
HD6433800A20H HITACHI 　 IDT92HD98B1X5NDG IDT
AH284-YG-13 DIODOS 　 AR1010 AIROHA
TC58DVM92A5TA00 TOSHIBA 　 DRV8312DDWR TI
MAX3668EHJ+T MÁXIMA 　 CY62256VLL-70SNC CYPRESS
AT24C128N-10SU-2.7 ATMEL/ADESTO 　 ADG701BRTZ-REEL7 ADI
XC3S200-4TQ144C XILINX 　 88F6-BK12 MARVELL
TPS2096A4EU TI 　 TPS62130RGT TI
LT3505EMS8E#TRPBF LINEAR 　 S908QY4AE0VDWER FREESCALE
FT1760N FANGTEK 　 LMH6654MAX NSC
SN8P2754KG SONIX 　 LCMXO640C-3FT256C ENREJADO

Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto 

Etiquetas de productos:

rf high power transistor

high power rf transistor

mosfet rf
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4