Transistor de potencia RF HMC442LC3BTR: ideal para aplicaciones de alta velocidad

Producto: Transistores de poder de HMC442LC3BTR RF

Descripción:

El HMC442LC3BTR es una alta ganancia, poder medio GaN en sic el FET de la heterounión que es conveniente para el uso en una amplia gama de usos incluyendo militares, aeroespacial, y comercial.

Características:

- Alta ganancia, poder medio GaN en sic el FET de la heterounión
- 50 W CW de potencia de salida
- aumento de dB 10,2
- Operación V 28
- Eficacia alta
- Operación de alta frecuencia
- Distorsión baja
- Altas linearidades
- De poco ruido
- Construcción rugosa

Paquete: paquete de 2-Pin TO-263

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