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De NTTFS3A08PZTAG de los transistores de los FETs solo P-CH 20V 9A 8WDFN P-canal de los MOSFETs
Descripción de productos:
1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET del poder del P-canal
2. wdfn superficial del soporte 840mW (TA) del P-canal 20V 9A (TA) 8 (3.3x3.3)
3. EP T/R del MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN del transporte
4. componentes -20V, - 15A, los 6.7m, poder MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG del canal de P
Parámetros tecnológicos:
Tipo del FET | P-canal |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 20 V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 9A (TA) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 6.7mOhm @ 12A, 4.5V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 56 nC @ 4,5 V |
Vgs (máximo) | ±8V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 5000 PF @ 10 V |
Disipación de poder (máxima) | 840mW (TA) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Número bajo del producto | NTTFS3 |
Imagen del producto:
Garantía de calidad:
1. Cada proceso de producción tiene una persona especial a probar para asegurar calidad
2. Tenga ingenieros profesionales para comprobar la calidad
3. Todos los productos han pasado el CE, la FCC, ROHS y otras certificaciones