60V 10.8A Diodos Transistores FETS DMT6009LSS-13 Canal único MOSFET N
Number modelo:DMT6009LSS-13
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:500000PCS
Plazo de expedición:2-15days
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Shenzhen Hongkong China
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1607B Construcción costera Bloque Este Distrito de Nanshan Shenzhen China 518000
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Solos transistores del canal N 60V 10.8A del MOSFET DMT6009LSS-13
Semiconductor discreto del MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 de los FETS
Especificación DMT6009LSS-13:
| Número de parte | DMT6009LSS-13 |
Categoría | Productos de semiconductor discretos |
Transistores - FETs, MOSFETs - solos | |
Mfr | Diodos incorporados |
Serie | - |
Paquete | Cinta y carrete (TR) |
Situación de la parte | Activo |
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 60 V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 10.8A (TA) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 9.5mOhm @ 13.5A, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 33,5 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1925 PF @ 30 V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 1.25W (TA) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete/caso | 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m) |
Número bajo del producto | DMT6009 |
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