Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto
Número de modelo:FLM0910-25F
Lugar del origen:JP
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10000 pedazos por año
Plazo de expedición:1-2 días hábiles
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La banda X del transistor de poder de FLM0910-25F RF internamente hizo juego el FET
DESCRIPCIÓN
El FLM0910-25F es un FET del GaAs del poder que está internamente las bandas estándar de la comunicación del matchedfor para proporcionar poder y aumento óptimos en un 50Ωsystem
| Lista de otros componentes electrónicos en existencia | ||||
| NÚMERO DE PARTE | MFG/BRAND | NÚMERO DE PARTE | MFG/BRAND | |
| TMS27C128-15JL | TI | SE5014F-R | SKYWORKS | |
| ICS9248AG-150 | ICS | KTN0405AS-TFR1 | LEAHKINN | |
| HYB25L128160AC-7.5 | QIMONDA | 54LS02DMQB | FAIRCHILD | |
| CAT24WC02LI | CATALIZADOR | TMS320C6202GJLA200 | TEXAS INSTRUMENTS | |
| TPS2062DR | TI | K9LDGD8U1A-HIK0 | SAMSUNG | |
| SN75LVDT386DGGR | TI | ISL95855HRTZ | INTERSI | |
| SC431LCSK-1.TR | SEMTECH | M25P40-VMN6TPB | MICRÓN | |
| SI2323CDS-T1-E3 | VISHAY | TQF6297H | TRIQUINT | |
| PZM5.6NB2 | NXP | SYN256CQNC | SILERGY | |
| NT1702A-HFKA7 | NEOTEC | PI49FCT3805DQE | PERICOM | |
| HD6433800A20H | HITACHI | IDT92HD98B1X5NDG | IDT | |
| AH284-YG-13 | DIODOS | AR1010 | AIROHA | |
| TC58DVM92A5TA00 | TOSHIBA | DRV8312DDWR | TI | |
| MAX3668EHJ+T | MÁXIMA | CY62256VLL-70SNC | CYPRESS | |
| AT24C128N-10SU-2.7 | ATMEL/ADESTO | ADG701BRTZ-REEL7 | ADI | |
| XC3S200-4TQ144C | XILINX | 88F6-BK12 | MARVELL | |
| TPS2096A4EU | TI | TPS62130RGT | TI | |
| LT3505EMS8E#TRPBF | LINEAR | S908QY4AE0VDWER | FREESCALE | |
| FT1760N | FANGTEK | LMH6654MAX | NSC | |
| SN8P2754KG | SONIX | LCMXO640C-3FT256C | ENREJADO | |
Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto
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