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Componentes originales del FET IC del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305

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China Componentes originales del FET IC del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305 wholesale
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Componentes originales del FET IC del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305
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Número de modelo :2SK1305
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :20
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :30000
Plazo de expedición :1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
envío :DHL, Fedex, UPS, el ccsme etc
Línea principal :Componentes de IC, transistor, diodo, módulo, condensador etc
Disipación del canal :25W
molde :Transferencia de alta velocidad del poder
D/C :°C
Paquete :TO-220F
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Componentes originales del FET IC del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305

 

 

 

FET original TO-3P del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305

 

 

Características

 

• En-resistencia baja

• Transferencia de alta velocidad

• Corriente de impulsión baja

• El  del dispositivo de la impulsión de la puerta de 4 V se puede conducir a partir de fuente de 5 V

• Conveniente para la impulsión del motor, el convertidor de DC-DC, el interruptor y el solenoide conduzca

 

 

Esquema

 

Componentes originales del FET IC del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305

 

Grados máximos absolutos

Artículo Símbolo Clasificación Unidad
Drene al voltaje de la fuente VDSS 100 V
Puerta al voltaje de la fuente VGSS ±20 V
Drene la corriente Identificación 10 A
Drene la corriente máxima Identificación (pulso) *1 40 A
Cuerpo para drenar la corriente del dren del revés del diodo IDR 10 A
Disipación del canal Pch*2 25 W
Temperatura del canal Tch 150 °C
Temperatura de almacenamiento Tstg -50 a +150 °C

 

Notas: 1. Μs del ≤ 10 del picovatio, ≤ el 1% del ciclo de trabajo

2. Valor en TC = 25°C

 

Componentes originales del FET IC del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305

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