Componentes originales del FET IC del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305

Número de modelo:2SK1305
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:30000
Plazo de expedición:1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Componentes originales del FET IC del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305

 

 

 

FET original TO-3P del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305

 

 

Características

 

• En-resistencia baja

• Transferencia de alta velocidad

• Corriente de impulsión baja

• El  del dispositivo de la impulsión de la puerta de 4 V se puede conducir a partir de fuente de 5 V

• Conveniente para la impulsión del motor, el convertidor de DC-DC, el interruptor y el solenoide conduzca

 

 

Esquema

 

 

Grados máximos absolutos

ArtículoSímboloClasificaciónUnidad
Drene al voltaje de la fuenteVDSS100V
Puerta al voltaje de la fuenteVGSS±20V
Drene la corrienteIdentificación10A
Drene la corriente máximaIdentificación (pulso) *140A
Cuerpo para drenar la corriente del dren del revés del diodoIDR10A
Disipación del canalPch*225W
Temperatura del canalTch150°C
Temperatura de almacenamientoTstg-50 a +150°C

 

Notas: 1. Μs del ≤ 10 del picovatio, ≤ el 1% del ciclo de trabajo

2. Valor en TC = 25°C

 

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Componentes originales del FET IC del MOS del canal N del silicio del transistor 2SK1305

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