Tecnología Co., Ltd de Shenzhen Huahao Gaosheng

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Serie integrada del fet del foso del microprocesador SUD50P06-15L-E3 del transistor de poder del Mosfet

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Tecnología Co., Ltd de Shenzhen Huahao Gaosheng
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJack
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Serie integrada del fet del foso del microprocesador SUD50P06-15L-E3 del transistor de poder del Mosfet

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Number modelo :SUD50P06-15L-E3
Lugar del origen :Fabricante original
Cantidad de orden mínima :Cantidad de orden mínima: 10 PCS
Condiciones de pago :T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer
Capacidad de la fuente :1000
Plazo de expedición :Dentro de 3days
Detalles de empaquetado :Empaquetado estándar
Tipo :circuito integrado
D/C :Newst
Puerto :Shenzhen u Hong-Kong
Plazo de ejecución :días 1-3Working
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SERIE DEL FET DEL FOSO DEL CHIP CI SUD50P06-15L-E3 TO252 DEL CIRCUITO INTEGRADO DE P-CH

 

Las mercancías condicionan: A estrenar Situación de la parte: Activo
Sin plomo/Rohs: Denuncia Función: Mosfet
Montaje del tipo: Soporte superficial Paquete: TO-252
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor del canal N

 

 

Serie del MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFET del chip CI del circuito integrado SUD50P06-15L-E3

P-canal 60 V (D-S), MOSFET de 175 °C

CARACTERÍSTICAS
1, MOSFET del poder de TrenchFET®
2, temperatura de empalme de 175 °C
3, obediente a RoHS 2002/95/EC directivo

Fabricante Vishay Siliconix  
Serie TrenchFET®  
Empaquetado Cinta y carrete (TR)  
Situación de la parte Activo  
Tipo del FET P-canal  
Tecnología MOSFET (óxido de metal)  
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V  
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 50A (Tc)  
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA  
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 165nC @ 10V  
Vgs (máximo) ±20V  
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 4950pF @ 25V  
Característica del FET -  
Disipación de poder (máxima) 3W (TA), 136W (Tc)  
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 15 mOhm @ 17A, 10V  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Montaje del tipo Soporte superficial  
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)  
Paquete/caso TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

 

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE MFG/BRAND   NÚMERO DE PARTE MFG/BRAND
9LPRS133BKLFT IDT   ISL62882HRTZ-T INTERSIL
1ZB18 TOSHIBA   S1D13513B00B200 EPSON
W2F15C1038AT1A AVX   MABACT0071 MA/COM
UP7719ASU8 MICRÓFONO   CRG05 (TE85L, Q) TOSHIBA
MSN3010-472 COILCRAFT   PCI2050IPDV TI
HA2-5033/883 HARRIS   MP4013 TOSHIBA
SLQ2592 UDMHGT   LT1017CS8 LINEAR
PACDN010QS CMD   FBMH2012HM121-T TAIYO
APL431AAC-TRG ANPEC   MSP3415G-B8-V3 MICRONAS
ADM4850ARZ ADI   LTC5505-2ES5#TRPBF LT
23Z104SMNLT PULSO   LPR550ALTR ST
TMX320DM8148CCYE2 TI   TLE4269GL SIEMENS
TJA1050 PHLIPH   PS8710BTQFN24GTR2-A1 DESFILE
LM2674MX-ADJ NSC   CXD3117AR SONY
BCM56340AOKFSBG BRADCOM   ADS1000A0QDBVRQ1 TI
TPS79901DRVT TI   TC74VHC273FT TOSHIBA
TC358723XBG TOSHIBA   MCM20027IBBL MOTOROLA
STI5202DUD ST   SC2677TSTR SEMTECH
ST16C552CJ EXAR   RT9181CB RICHTEK
VIPER53-DIP-E ST   DS2482S-100+T$R MÁXIMA
Carro de la investigación 0