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Electrónica de Shenzhen Res limitada

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De NTTFS3A08PZTAG del transistor del chip CI solo P Mosfet 20V 9A 8WDFN del poder del canal de los FETs

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China De NTTFS3A08PZTAG del transistor del chip CI solo P Mosfet 20V 9A 8WDFN del poder del canal de los FETs wholesale
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De NTTFS3A08PZTAG del transistor del chip CI solo P Mosfet 20V 9A 8WDFN del poder del canal de los FETs
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Number modelo :NTTFS3A08PZTAG
Lugar del origen :América
Cantidad de orden mínima :discutible
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :mes 10000pcs/one
Plazo de expedición :3~10 días
Detalles de empaquetado :Paquete original
Tipo :Mosfet
D/C :Estándar
Tipo del paquete :WDFN-8
Uso :Estándar
Tipo del proveedor :Fabricante original, ODM, agencia, minorista, otro
Medios disponible :la ficha técnica, foto, EDA/CAD modela, otro
Marca :Mosfet
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :20 V
Temperatura de funcionamiento :-55 ℃ ℃~150
Montaje del tipo :Soporte superficial
Paquete/caso :WDFN-8, WDFN-8
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :20 V
Número de elementos :1
Número de pernos :8
Max Operating Temperature :°C 150
configuración del elemento :solo
Min Operating Temperature :-55 °C
Tiempo de subida :56 ns
Rds en máximo :mΩ 6,7
Número de canales :1
RoHS :Obediente
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De NTTFS3A08PZTAG de los transistores de los FETs solo P-CH 20V 9A 8WDFN P-canal de los MOSFETs

 

Descripción de productos:

1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET del poder del P-canal

2. wdfn superficial del soporte 840mW (TA) del P-canal 20V 9A (TA) 8 (3.3x3.3)

3. EP T/R del MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN del transporte

4. componentes -20V, - 15A, los 6.7m, poder MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG del canal de P

 

 

Garantía de calidad:
1. Cada proceso de producción tiene una persona especial a probar para asegurar calidad
2. Tenga ingenieros profesionales para comprobar la calidad
3. Todos los productos han pasado el CE, la FCC, ROHS y otras certificaciones

 

 

Parámetros tecnológicos:

Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 9A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 56 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo) ±8V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 5000 PF @ 10 V
Disipación de poder (máxima) 840mW (TA)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Número bajo del producto NTTFS3

 

Imagen del producto:

De NTTFS3A08PZTAG del transistor del chip CI solo P Mosfet 20V 9A 8WDFN del poder del canal de los FETs

Garantía de calidad:

1. Cada proceso de producción tiene una persona especial a probar para asegurar calidad

2. Tenga ingenieros profesionales para comprobar la calidad

3. Todos los productos han pasado el CE, la FCC, ROHS y otras certificaciones

 

Etiquetas de productos:

n channel mosfet transistor

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