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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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FET SOT23 TO-236AB D montada superficie del transistor de efecto de campo de NX7002AK NEXPERIA

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China FET SOT23 TO-236AB D montada superficie del transistor de efecto de campo de NX7002AK NEXPERIA wholesale
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FET SOT23 TO-236AB D montada superficie del transistor de efecto de campo de NX7002AK NEXPERIA
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Number modelo :NX7002AK
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :Qty del paquete
Detalles de empaquetado :cinta y carrete
Plazo de expedición :2 semanas
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :1000+
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El transistor del efecto de campo del modo del aumento del canal N de NX7002AK NEXPERIA (FET) en un pequeño SOT23 (TO-236AB) Superficie-montó D

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
SVHC Sí
Automotriz No
PPAP No
Categoría de producto Pequeña señal
Configuración Solo
Tecnología de proceso TMOS
Modo del canal Aumento
Tipo de canal N
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 60
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) 20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 2,1
Dren continuo máximo (a) actual 0,19
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) 2000
IDSS máximo (UA) 1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 4500@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 0.33@4.5V
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 15@10V
Disipación de poder máxima (mW) 325
Tiempo de caída típico (ns) 5
Tiempo de subida típico (ns) 7
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 11
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 6
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Empaquetado Cinta y carrete
Paquete del proveedor SOT-23
Pin Count 3
Nombre del paquete estándar BORRACHÍN
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 1 (máximo)
Longitud del paquete 3 (máximo)
Anchura del paquete 1,4 (máximo)
El PWB cambió 3
Forma de la ventaja Gaviota-ala
Etiquetas de productos:

mos field effect transistor

3 phase bldc

surface mount diode identification
Carro de la investigación 0

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