Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N

MOSFET dual del canal N de HXY4812 0V Descripción general El HXY4812 utiliza tecnología avanzada del foso a proporcione el RDS excelent
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corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V

MOSFET dual del canal N de HXY4812 30V Descripción general El HXY4822A utiliza tecnología avanzada del foso a proporcione el RDS excele
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Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

MOSFET dual del canal N de HXY9926A 20V Descripción general El HXY9926A utiliza tecnología avanzada del foso a proporcione el RDS excel
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MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS

8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulan el MOSFET dual del canal N de los MOSFETS Descripción general VDSS= V ID= 6,0 A
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Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V

MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel DESCRIPCIÓN El 8H02ETSuses avanzó tecnología del foso a proporcione el RDS excelente (EN
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Conductor de alto voltaje original Using Transistor del Mosfet del transistor de poder del Mosfet

Transistor de alto voltaje original del Mosfet, conductor Using Transistor del Mosfet Funcionamiento y características de alto voltaje del trans
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salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v

El DIODO BAJO SOT-23 de la SALIDA de MMBD1501A Plástico-encapsula los diodos CARACTERÍSTICA salida baja del  alta conductancia del 
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transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad

SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A42 (NPN) CARACTERÍSTICA Voltaje de saturación bajo del Colector-emiso
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Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos

TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 2N5401 (PNP) CARACTERÍSTICA Transferencia y amplificación de Ÿ en alto
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Uso de alta frecuencia de la protección de la polaridad de Mos Field Effect Transistor 20A 200V

Conveniente para el diodo de barrera de alta frecuencia de la fuente de alimentación que cambia 20A 200V Schottky HBR20200 TO-220C TO-220HF TO-263
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