Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJimmy Lee
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Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos

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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :2N5401
VCBO :-160V
VCEO :-150V
VEBO :-5V
Uso :Componentes electrónicos
Tj :150Š
Caso :Cinta/bandeja/carrete
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TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 2N5401 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

 

Transferencia y amplificación de Ÿ en alto voltaje

Usos de Ÿ tales como telefonía

Ÿ de poca intensidad

Alto voltaje de Ÿ

 

 

Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método que embala Cantidad del paquete
2N5401 TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
2N5401-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box

 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (TA =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -160 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -150 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -5 V
IC Corriente de colector -0,6
PC Disipación de poder del colector 625 mW
R0 JA Resistencia termal del empalme a ambiente 200 Š/W
Tj Temperatura de empalme 150 Š
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150 Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

 

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC = -0.1MA, IE =0 -160     V
voltaje de avería del Colector-emisor CEO DE V (BR) IC =-1MA, IB =0 -150     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO IE =-0.01MA, IC =0 -5     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB =-120V, IE =0     -50 nA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB =-3V, IC =0     -50 nA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE =-5V, IC =-1MA 80      
hFE (2) VCE =-5V, IC =-10MA 100   300  
hFE (3) VCE =-5V, IC =-50MA 50      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (se sentó) IC =-50MA, IB =-5MA     -0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (se sentó) IC =-50MA, IB =-5MA     -1 V
Frecuencia de la transición pie VCE =-5V, IC =-10mA, f =30MHz 100   300 Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN del hFE (2)

FILA B C
GAMA 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Características típicas

 

 


Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos 

Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos

Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos

Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos

 


 
 

Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

 

 Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos

Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos
 




 
 

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