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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v

Categorías de Producto

STM32 IC

 [20]

Estabilizador IC del voltaje

 [92]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [214]

Transistor de poder del Mosfet

 [50]

Transistores de poder de la extremidad

 [6]

Transistor de poder del silicio

 [6]

Diodo que cambia dual

 [6]

Mosfet en doble canal

 [2]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [2]

Mos Field Effect Transistor

 [20]

Diodo Zener del poder

 [2]

Puente rectificador de Schottky

 [2]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [2]
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China salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v wholesale
  • China salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v wholesale

salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v
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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :MMBD1501A
Tipo :TRANSFERENCIA DIODESOD
CARACTERÍSTICA :Salida baja
Transistor del mosfet del poder :SOT-23 Plástico-encapsulan los diodos
Voltaje de bloqueo de DC :200v
Identificación del producto :MMBD1501A
Disipación de poder :350mW
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El DIODO BAJO SOT-23 de la SALIDA de MMBD1501A Plástico-encapsula los diodos


 

CARACTERÍSTICA
 
salida baja del 
alta conductancia del 

Marca: A11

salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v

 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v

 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

 salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v
 


 
 
 
Characterisitics típico
    
 
salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200vsalida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v



 
 
 
 
 
 
Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 

Carro de la investigación 0

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