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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N

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Mosfet en doble canal

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Diodo de rectificador rápido de la recuperación

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Mos Field Effect Transistor

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Puente rectificador de Schottky

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Diodo de rectificador de alto voltaje

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China Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N wholesale
  • China Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N wholesale

Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N
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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :HXY4812
Nombre de producto :Transistor de poder del Mosfet
Uso :interruptor de la carga o en usos de PWM.
Caso :Cinta/bandeja/carrete
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MOSFET dual del canal N de HXY4812 0V

 

 

Descripción general

 

El HXY4812 utiliza tecnología avanzada del foso a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Esto

el dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en PWM

usos.

 

 

Resumen del producto

Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet NTipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N

 

 

 

Grados máximos absolutos T =25°C a menos que se indicare en forma diferente

 

Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N

 

 

Características eléctricas (T =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

 

Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N

 

 

 

A. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.

el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.

B. El paladio de la disipación de poder se basa en TJ (max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.

El grado de C. Repetitive, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ (max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar

D. El RθJA es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar RθJL y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>

Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet NTipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N

 

 

 

 

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