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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Uso de alta frecuencia de la protección de la polaridad de Mos Field Effect Transistor 20A 200V

Categorías de Producto

STM32 IC

 [10]

Estabilizador IC del voltaje

 [52]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [109]

Transistor de poder del Mosfet

 [25]

Transistores de poder de la extremidad

 [3]

Transistor de poder del silicio

 [3]

Diodo que cambia dual

 [3]

Mosfet en doble canal

 [1]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [1]

Mos Field Effect Transistor

 [10]

Diodo Zener del poder

 [1]

Puente rectificador de Schottky

 [1]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [1]
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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJimmy Lee
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China Uso de alta frecuencia de la protección de la polaridad de Mos Field Effect Transistor 20A 200V wholesale
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Uso de alta frecuencia de la protección de la polaridad de Mos Field Effect Transistor 20A 200V
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Cantidad de orden mínima :1500
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :3000000PCS/month
Plazo de expedición :5-15days
Detalles de empaquetado :Tubo
Number modelo :HBR20200
Lugar del origen :China
Paquete :TO-220C TO-220HF TO-263
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) :20A
VRRM :200V
Tj :175℃
VF (máximo) :0.75V
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Conveniente para el diodo de barrera de alta frecuencia de la fuente de alimentación que cambia 20A 200V Schottky HBR20200 TO-220C TO-220HF TO-263

USOS

diodos que ruedan libres del interruptor del  de alimentación del  de alta frecuencia de la fuente, usos de la protección de la polaridad

 

CARACTERÍSTICAS

pérdida común de la energía baja del  de la estructura del cátodo del , anillo de guardia de funcionamiento del  de la temperatura de empalme del  de la eficacia alta alto para la protección de la sobretensión, alto producto de RoHS del  de la confiabilidad

 

Carro de la investigación 0

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