Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJimmy Lee
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MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS

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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :8205A
Nombre de producto :Transistor de poder del Mosfet
VDSS :6,0 A
USO :Gestión del poder
CARACTERÍSTICA :Carga baja de la puerta
Transistor del mosfet del poder :SOT-23-6L Plástico-encapsulan
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8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulan el MOSFET dual del canal N de los MOSFETS

 

 

Descripción general

 

 

VDSS= V ID= 6,0 A

z 20

G1

6

D1, D2

5

G2

4

  z  

RDS (encendido) <>

los 25m

GS

  z  

RDS (encendido) <>

los 32m

GS

1 2 3

S1

D1, D2 S2

 

 

 

 

CARACTERÍSTICA

 

MOSFET del poder de z TrenchFET

z RDS excelente (encendido)

carga baja de la puerta de z

poder más elevado de z y capacidad que da actual

paquete superficial del soporte de z

 

 

USO

 

protección de la batería de z

interruptor de la carga de z

gestión del poder de z

 

 

Condición de prueba del símbolo del parámetro Min Typ Max Unit
CHARACTERICTISCS ESTÁTICO
voltaje de avería de la Dren-fuente V (BR) DSS VGS = 0V, identificación =250µA 19 V
Dren cero IDSS actual VDS =18V, del voltaje de la puerta µA VGS = 0V 1
salida IGSS actual VGS =±10V, nA del Puerta-cuerpo de VDS = de 0V ±100
Voltaje del umbral de la puerta (nota 3) VGS (th) VDS =VGS, identificación =250µA 0,5 0.9V
Tranconductance delantero (gFS VDS =5V, identificación =4.5A 10 S de la nota 3)
Voltaje delantero del diodo (nota 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V

 

 

CHARACTERICTISCS DINÁMICO (note4)
CISS entrado de la capacitancia 800 PF
Capacitancia de salida Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF
Capacitancia reversa Crss 125 PF de la transferencia

 

 

TRANSFERENCIA CHARACTERICTISCS (nota 4)
Tiempo de retraso de abertura TD (encendido) 18 ns
Tiempo de subida de abertura tr VDD=10V, VGS=4V, 5 ns
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado TD (apagado) ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns
Tiempo de caída de la vuelta-apagado tf 20 ns
Carga total Qg 11 nC de la puerta
Carga Qgs VDS =10V, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC de la Puerta-fuente
Carga Qgd 2,5 nC del Puerta-dren

 

 

Notas:

1. Grado repetidor: Anchura de Pluse limitada por temperatura de empalme máxima

2. Superficial montado en FR4 el tablero, sec t≤10.

3. Prueba del pulso: Pulso width≤300μs, deber el cycle≤2%.

4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción.

 

 

 

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSSMOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS

 

 

Dimensiones del esquema del paquete de SOT-23-6L

 

 

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS

 

 

 

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