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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V

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STM32 IC

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Estabilizador IC del voltaje

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Unidad del microcontrolador de MCU

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Transistor de poder del Mosfet

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Transistores de poder de la extremidad

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Transistor de poder del silicio

 [3]

Diodo que cambia dual

 [3]

Mosfet en doble canal

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Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [1]

Mos Field Effect Transistor

 [10]

Diodo Zener del poder

 [1]

Puente rectificador de Schottky

 [1]

Diodo de rectificador de alto voltaje

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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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China corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V wholesale
  • China corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V wholesale

corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V
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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :HXY4812
Nombre de producto :Transistor de poder del Mosfet
VDS :30v
Caso :Cinta/bandeja/carrete
VGS :±20v
Corriente continua del dren :6.5A
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MOSFET dual del canal N de HXY4812 30V

 

 

Descripción general

 

El HXY4822A utiliza tecnología avanzada del foso a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Esto

el dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en PWM

usos.

 

 

Resumen del producto

corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30Vcorriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V

 

 

 

Grados máximos absolutos T =25°C a menos que se indicare en forma diferente

 

corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V

 

 

Características eléctricas (T =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V

 

 

A. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.

el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.

B. El paladio de la disipación de poder se basa en TJ (max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.

El grado de C. Repetitive, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ (max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar

D. El RθJA es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar RθJL y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>

 

corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30Vcorriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V

 

 

 

 

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