Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJimmy Lee
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transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad

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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :A42
Voltaje de la Colector-base :310V
Voltaje de la Emisor-base :5V
Tstg :-55~+150℃
Material :Silicio
Corriente de colector :600 mA
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SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A42 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Voltaje de saturación bajo del Colector-emisor

Alto voltaje de avería

 

Marca: D965A

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 310 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 305 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 5 V
IC Corriente de colector - continua 200 mA
ICM Corriente de colector - pulsada 500 mA
PC Disipación de poder del colector 500 mW
RθJA Resistencia termal del empalme a ambiente 250 ℃/W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC =100ΜA, IE =0 310     V
voltaje de avería del Colector-emisor CEO DE V (BR) IC =1MA, IB =0 305     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO IE =100ΜA, IC =0 5     V

 

Corriente de atajo de colector

ICBO VCB =200V, IE =0     0,25 µA
 

 

ICEX

VCE =100V, VX =5V     5 µA
    VCE =300V, VX =5V     10 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB =5V, IC =0     0,1 µA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE =10V, IC =1MA 60      
  hFE (2) VCE =10V, IC =10MA 100   300  
  hFE (3) VCE =10V, IC =30MA 75      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (se sentó) IC =20MA, IB =2MA     0,2 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (se sentó) IC =20MA, IB =2MA     0,9 V
Frecuencia de la transición pie VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     Megaciclo

 

 

 
 

 Características típicas

 

transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad

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transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad

 

 

 

Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 REFERENCIA. 0,061 REFERENCIAS.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPOS.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPOS.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad
 

 

SOT-89-3L sugirió la disposición del cojín

 

transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad
 
 
Cinta y carrete de SOT-89-3L
transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad
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Carro de la investigación 0