Transistor de alto voltaje original del Mosfet, conductor Using Transistor del Mosfet
Funcionamiento y características de alto voltaje del transistor del Mosfet
La construcción del MOSFET del poder está en V-configuraciones, como podemos ver en la figura siguiente. Así el dispositivo también se llama como el V-MOSFET o el V-FET. El V la forma del MOSFET del poder se corta para penetrar de la superficie del dispositivo casi está al substrato de N+ al N+, al P, y a la N – capas. La capa de N+ es la capa pesadamente dopada con un material resistente bajo y la capa de la n es una capa ligeramente dopada con la alta región de la resistencia.
Descripción de alto voltaje de la característica del transistor del Mosfet
30V/34A
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 7.1mΩ GS = 10V
R del DS (ENCENDIDO) = del @V 10,0 del mΩ (tipo.) GS = 4.5V
La avalancha 100% probó
Confiable y rugoso
Halógeno libre y dispositivos verdes disponibles
(RoHS obediente)
Usos de alto voltaje del transistor del Mosfet
Uso que cambia
Gestión del poder para DC/DC
Protección de la batería
Información que ordena y de marcado
C1
1503
YYXXXJWW
Código del paquete
C1: DFN3*3-8L
Código de fecha
YYXXX WW
Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen los compuestos que moldean/para morir los materiales de la fijación y la placa de lata mate del 100% Termi-
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resolver o exceder el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define
“Verde” significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libremente (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso adentro
el material y el total homogéneos de Br y de Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.
Grados máximos absolutos
Características de funcionamiento típicas
