el mosfet de la zanja

MOSFET de potencia AON6403 ElectrónicaTecnología MOSFET de trinchera avanzada Paquete de 30 V 8-DFN...

MOSFET de trinchera de canal N/P complementario de 20 V PMCXB900UE El fabricante: Nexperia Categoría de producto: MOSFETs La norma Ro...

Sic transistores TO-263-8 1700V de los MOSFETs del canal N del MOSFET IMBF170R1K0M1 del foso Descripción de producto de IMBF170R1K0M1 IMBF170R1K...

MOSFET de alta potencia NTTFS3D7N06HL Zanja de alimentación de puerta blindada de canal N®MOSFET 60V 103A 3.9mΩ [¿Qué?o ¿estamos?] Sun...

NX7002AK, MOSFET 60V 190mA solo SMD/SMT del foso del canal N 215 SOT-23-3 1 Productos Descripción: El NX7002AK es un transistor del efecto de campo...

– Mosfet especificado 1.8V pulsado del poder de la transferencia del MOSFET de PowerTrench del P-canal de FDN304PZ Características · ► – 2,4 A...

MOSFET DEL FOSO DEL PODER DEL MOSFET 30V.PCH Cualidad de producto Valor del atributo Cualidad selecta Fabrica...

– Pulsó el P-canal 1.8V de FDN304PZ especificó el mosfet del poder del MOSFET de PowerTrench que cambiaba Características · ►– 2,4 A, – 20 V. RD......

FDS4835 que marcan 4835 SOP8 se doblan paquete del carrete del MOSFET de PowerTrench del P-canal 30V Lista de otros componentes electrónico...

WSF3012 N-Ch y descripción del MOSFET del P-canal Los WSF3012 es el MOSFET N-ch y P-ch del foso del rendimiento más alto con alta densidad de célula ......

Canal N 80 V, tipo de 0,008 ohmios, 100 A, MOSFET del MOSFET STP100N8F6 del poder de STripFET F6 en una descripción general del paquete TO-220: Este ......

Detalle del producto Empaquetado Tubo Situación de la parte Activo Tipo de IGBT NPT y foso Voltaje - avería del emisor del colector (má...

MOSFET de potencia de super trinchera con conmutación rápida y recuperación del cuerpo inverso Descripción general El producto utiliza las última...

Gama de productos Usos que cambian del MOSFET STMicroelectronics STP110N8F6 de los transistores de los semiconductores de IDiscrete Canal N 80 V,...

Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600 V 60 A 230 W a través del agujero TO-247Los Bourns modelan los transistores bipolares aislados HECHO...

Componenteelectrónicodelcanal NdelMOSFETSMDdeltransistorde AP70N03NF.pdfAP70N03NFparaelcircuito integrado Descripción El AP70N03NF u...

AON7534 MOSFET de canal N de 30 V, 10,5 mΩ Rds(on), 60 A continuo, DFN5x6-8L, -55 °C a +175 °C, AEC-Q101 Descripción general • Tecnología M...

El MOSFET del canal N de los transistores de CJ2310 S10 NPN PNP Plástico-encapsula los MOSFETS DESCRIPCIÓN El CJ2310 utiliza tecnología avanzada del ......