El CJ2310 utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas con voltaje de la puerta tan bajo como 2.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como protección de la batería o en el otro uso de la transferencia.

 de la CARACTERÍSTICA

Poder más elevado y  actual de la capacidad que da

El producto sin plomo es  adquirido

Paquete superficial del soporte

 del USO

 del interruptor de batería

Convertidor de DC/DC

Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Unidad del valor del símbolo del parámetro
Voltaje VDS 60 V de la Dren-fuente
Voltaje VGS ±20 V de la Puerta-fuente
Identificación actual 3 A del dren continuo
Corriente pulsada del dren (nota 1) I DM 10 A
Paladio 0,35 W de la disipación de poder
Resistencia termal del empalme a ambiente (del θJA 357 ℃/W de la nota 2) R
℃ de la temperatura de empalme TJ 150
℃ de la temperatura de almacenamiento TSTG -55~+150

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El plástico de CJ2310 S10 encapsula Mosfet dual de la puerta, Mosfet del canal N del poder más elevado

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Microprocesador del circuito integrado

Chip CI del ordenador

Gestión IC del poder

Conector del PWB

Lámpara UVC del LED

Diodo de rectificador de fines generales

Transistores de NPN PNP

SMD Chip Resistor

SMD Chip Capacitor

Botón encendido del interruptor

Módulo de poder de IGBT

Módulo del tiristor

Módulo inalámbrico del RF

SMD Chip Inductors

Sensores del gas de la calidad del aire

Componentes de la iluminación del LED

Retransmisiones bajas de la señal

Cristales y osciladores

Otros componentes electrónicos

El plástico de CJ2310 S10 encapsula Mosfet dual de la puerta, Mosfet del canal N del poder más elevado

p type mosfet

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