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El P-canal 1.8V de FDN304PZ especificó el mosfet del poder de la transferencia del MOSFET de PowerTrench

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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El P-canal 1.8V de FDN304PZ especificó el mosfet del poder de la transferencia del MOSFET de PowerTrench

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Número de modelo :FDN304PZ
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :50pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :5200PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
voltaje de la Dren-fuente :– 20 V
Voltaje de la Puerta-Fuente :±8 V
Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento :– °C 55 a +150
Identificación :– 2,4 A
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 1a) :250 °C/W
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– Mosfet especificado 1.8V pulsado del poder de la transferencia del MOSFET de PowerTrench del P-canal de FDN304PZ

 

El P-canal 1.8V de FDN304PZ especificó el mosfet del poder de la transferencia del MOSFET de PowerTrenchCaracterísticas ·

► – 2,4 A, – 20 V. RDS (ENCENDIDO) = 52 mW @ VGS = – 4,5 V RDS (ENCENDIDO) = 70 mW @ VGS = – 2,5 V RDS (ENCENDIDO) = 100 mW @ VGS = – 1,8 V

Velocidad de transferencia rápida del ►

Diodo de la protección del ESD del ►

Tecnología del foso del alto rendimiento del ► para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)

El ► SuperSOTTM -3 proporciona la mayor potencia baja del RDS (ENCENDIDO) y del 30% que maneja capacidad que SOT23 en la misma huella

 

Usos

gestión del ►Battery

interruptor del ►Load

Protección de la batería del ►

 

Descripción general

Este P-canal 1.8V especificó el proceso avanzado de PowerTrench de la baja tensión de Fairchild de las aplicaciones del MOSFET. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder de batería.

 

Grados máximos absolutos

Símbolo  Parámetro  Grados  Unidades
VDSS Voltaje de la Dren-fuente – 20 V
VGSS Voltaje de la Puerta-fuente ±8 V
Identificación

Drene la corriente

 – Continuo

– Pulsado
 

 

– 2,4

-10


 

A
TJ, TSTG Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento  – 55 a +150 °C

 

 

 

El P-canal 1.8V de FDN304PZ especificó el mosfet del poder de la transferencia del MOSFET de PowerTrench

 

 

 

LISTA COMÚN

SN74HC541DWR 17384 TI 04+ SOP-20
SN74HC573ADWR 9626 TI 16+ SOP-20
SN74HC574DWR 7826 TI 15+ SOP-20
SN74HC574N 9824 TI 16+ SOP-20
SN74HC688DWR 10664 TI 04+ SOP-20
SN74HCT244DWR 10886 TI 13+ SOP-20
SN74HCT244N 8014 TI 16+ SOP-20
SN74HCT373DWR 10000 TI 13+ SOP-20
SN74HCT374DWR 13676 TI 13+ SOP-20
SN74LS244DWR 16044 TI 16+ SOP-20
SN74LS244N 10704 TI 16+ SOP-20
SN74LS245DWR 16022 TI 16+ SOP-20
SN74LS541DWR 18740 TI 15+ SOP-20
SN74LVC244ADWR 18374 TI 08+ SOP-20
SN74LVTH273DWR 8780 TI 03+ SOP-20
SN75185DBR 11120 TI 15+ SOP-20
SN75185DWR 10958 TI 16+ SOP-20
SN75C1154N 2405 TI 04+ SOP-20
TCM129C13ADW 6368 TI 10+ SOP-20
TLC2543C 4210 TI 13+ SOP-20
TLC2543CDWR 1631 TI 14+ SOP-20
TLC2543IDWR 1253 TI 13+ SOP-20
TLC7528CDWR 12984 TI 15+ SOP-20
TPIC0107B 1934 TI 15+ SOP-20
TPIC6273DWR 2579 TI 16+ SOP-20
TPIC6B273DWR 5916 TI 14+ SOP-20
TPIC6B595DWR 7220 TI 15+ SOP-20
TPIC6B596DWR 48228 TI 16+ SOP-20
TPIC8101DWR 2093 TI 08+ SOP-20
UCC2895DWTR 1985 TI 10+ SOP-20
UCC3895DWTRG4 6490 TI 13+ SOP-20
TA8428F 2906 TOSHIBA 16+ SOP-20
TA8428FG 21132 TOSHIBA 13+ SOP-20
TDA1519C 2447 UTC 16+ SOP-20
W681360SG 22329 WINBOND 06+ SOP-20
ULN2803ADWR 15846 TI 14+ SOP-18
TD62083AFG 22748 TOSHIBA 13+ SOP-18
TD62084F 1936 TOSHIBA 14+ SOP-18
TD62783AFG 4164 TOSHIBA 15+ SOP-18
ULN2804AFWG 2788 TOSHIBA 14+ SOP-18
VIPER27HDTR 5412 ST 16+ SOP-16
VIPER27LDTR 13976 ST 16+ SOP-16
SYN470R 12414 SYNOXO 16+ SOP-16

 

 

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