Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W a través del agujero TO-247
Number modelo:BIDW30N60T
Cantidad de orden mínima:50pcs
Capacidad de la fuente:1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.):600 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.):60 A
Actual - colector pulsado (Icm):90 A
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Shenzhen China
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Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
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Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600 V 60 A 230 W a través del agujero TO-247
Los Bourns modelan los transistores bipolares aislados HECHOS UNA OFERTA de la puerta
Los Bourns modelan tecnología bipolar aislada HECHA UNA OFERTA de la cosechadora de los transistores de la puerta (IGBTs) de una puerta del MOSFET y de un transistor bipolar y se diseñan para los usos de alto voltaje/de gran intensidad. El modelo HIZO UNA OFERTA tecnología avanzada de la Campo-parada de la Foso-puerta del uso de IGBTs para proporcionar el mayor control de las características dinámicas, dando por resultado un voltaje de saturación más bajo del Colector-emisor y menos pérdidas que cambiaban. El IGBTs ofrece un -55°C a la gama de temperaturas de funcionamiento de +150°C y está disponible en paquetes de TO-252, de TO-247, y de TO-247N. Estos componentes termalmente eficientes proporcionan una resistencia termal más baja que les hace las soluciones convenientes de IGBT para las fuentes de alimentación del Interruptor-modo (SMPS), las fuentes de energía continuas (UPS), y los usos de la corrección de factor de poder (PFC).
CARACTERÍSTICAS
- BIDD05N60T
- 600V, 5A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
- Optimizado para la conducción
- Robusto, paquete TO-252
- RoHS obediente
- BIDW20N60T
- 600V, 20A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
- Optimizado para la conducción
- Pérdida que cambia baja
- Paquete TO-247
- RoHS obediente
- BIDW30N60T
- 600V, 30A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
- Optimizado para la conducción
- Paquete TO-247
- RoHS obediente
- BIDW50N65T
- 600V, 50A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
- Optimizado para la conducción
- Paquete TO-247
- RoHS obediente
- BIDNW30N60H3
- 600V, 30A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
- Pérdida que cambia baja
- Transferencia rápida
- Paquete de TO-247N
- RoHS obediente
USOS
- fuentes de alimentación del Interruptor-modo (SMPS)
- Fuentes de energía continuas (UPS)
- Corrección de factor de poder (PFC)
- Inversores (BIDW50N65T únicos)
- Calefacción de inducción (BIDW30N60T y BIDNW30N60H3 únicos)
- Motores de pasos (BIDW20N60T únicos)
Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W a través del agujero TO-247
Carro de la investigación
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