Productos proveedores Sign in Register

QIN XIN (HONG KONG) ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LIMITED

El ganar no tiene que tener capital, pero abandonar perderá

Manufacturer from China
Miembro activo
4 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitar un presupuesto
Español
Casa / Productos / Integrated Circuit IC Chip /

MOSFET DEL FOSO DEL PODER DEL MOSFET 30V.PCH DE FDS4435BZ

Categorías de Producto

CI de microcontrolador

 [179]

chip CI del circuito integrado

 [1589]

Chip CI de memoria Flash

 [64]

Chip CI programable

 [44]

Conductor IC Chip del LED

 [62]

Papas fritas CI del ordenador

 [86]

Panel táctil IC

 [42]

Módulo de poder de IGBT

 [60]

Unidad de disco duro del SSD

 [92]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [124]

Pequeñas retransmisiones de la señal

 [106]

Microprocesadores de la gestión del poder

 [50]

arsenal de puerta programable del campo

 [54]

microprocesadores del circuito integrado

 [140]
Contacta
QIN XIN (HONG KONG) ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LIMITED
País/Región:china
Persona de contacto:sales
Ver detalles de contacto
Contacta
China MOSFET DEL FOSO DEL PODER DEL MOSFET 30V.PCH DE FDS4435BZ wholesale
  • China MOSFET DEL FOSO DEL PODER DEL MOSFET 30V.PCH DE FDS4435BZ wholesale
  • China MOSFET DEL FOSO DEL PODER DEL MOSFET 30V.PCH DE FDS4435BZ wholesale

MOSFET DEL FOSO DEL PODER DEL MOSFET 30V.PCH DE FDS4435BZ
Preguntar último precio
Number modelo :FDS4435BZ
Cantidad de orden mínima :2500
Condiciones de pago :T/T
Detalles de empaquetado :Encuadierne packging
Polaridad del transistor :P-canal
Número de canales :1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :30 V
Identificación - Corriente continua del dren :8,8 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente :16 mOhms
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

MOSFET DEL FOSO DEL PODER DEL MOSFET 30V.PCH

Cualidad de producto Valor del atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-canal
1 canal
30 V
8,8 A
16 mOhms
- 25 V, + 25 V
3 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
2,5 W
Aumento
PowerTrench
FDS4435BZ
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Marca: onsemi/Fairchild
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 38 ns
Transconductancia delantera - minuto: 24 S
Altura: 1,75 milímetros
Longitud: 4,9 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 13 ns
2500
Etiquetas de productos:

6a10 diode

trench mosfet

diode in 5408
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4