Cualidad de producto	Valor del atributo	Cualidad selecta
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	P-canal
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	30 V
Identificación - corriente continua del dren:	8,8 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	16 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 25 V, + 25 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	3 V
Qg - carga de la puerta:	40 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Paladio - disipación de poder:	2,5 W
Modo del canal:	Aumento
Marca registrada:	PowerTrench
Serie:	FDS4435BZ
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi/Fairchild
Configuración:	Solo
Tiempo de caída:	38 ns
Transconductancia delantera - minuto:	24 S
Altura:	1,75 milímetros
Longitud:	4,9 milímetros
Tipo de producto:	MOSFET
Tiempo de subida:	13 ns
	2500

Etiquetas de productos:

6a10 diode

trench mosfet

Carro de la investigación 0

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