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NX7002AK, MOSFET 60V 190mA solo SMD/SMT del foso del canal N 215 SOT-23-3 1
Productos Descripción:
El NX7002AK es un transistor del efecto de campo del modo del aumento del canal N (FET) en un paquete plástico montado superficial del dispositivo (SMD) usando tecnología del MOSFET del foso.
Transferencia rápida misma
Protección del ESD para arriba a 1.5kV
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB T/R del transporte
Línea de alta velocidad circuitos que cambian del conductor de la retransmisión del loadswitch del Bajo-lado del conductor
Parámetros tecnológicos:
resistencia de la Dren-fuente | 3 Ω |
Poder disipado | 0,325 W |
voltaje del umbral | 1,6 V |
capacitancia de la entrada | 15 PF |
Voltaje de la Dren-fuente (Vds) | 60 V |
Capacitancia entrada (CISS) | 17pF @10V (Vds) |
Poder clasificado (máximo) | 265 mW |
Poder disipado (máximo) | 265mW (TA), 1.33W (Tc) |
Método de la instalación | Soporte superficial |
Número de pernos | 3 |
paquete | SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamiento | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Embalaje | Cinta y carrete (TR) |
Usos de fabricación | Audio, gestión del poder |
Estándar de RoHS | RoHS obediente |