Mosfet del poder del transistor de poder del Mosfet que cambia WSF3012 50mΩ RDSON
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:WSF3012
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
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Detalles del producto
WSF3012 N-Ch y MOSFET del P-canal
Descripción
El WSF3012 es el foso N-ch del rendimiento más alto
y MOSFET P-ch con alta densidad de célula extrema,
para cuál proporcione RDSON excelente y bloquee la carga
la mayor parte de los usos síncronos del convertidor del dólar.
La reunión WSF3012 el RoHS y el producto verde
requisito el 100% EAS garantizado con la función completa
confiabilidad aprobada.
Producto veraniego
Características
- tecnología avanzada del foso de la densidad de célula de z alta
- carga baja estupenda de la puerta de z
- disminución excelente del efecto de z CdV/dt
- z el 100% EAS garantizado
- dispositivo del verde de z disponible
Usos
Punto-de-carga de alta frecuencia de z síncrona
Convertidor del dólar para MB/NB/UMPC/VGA
sistema eléctrico del establecimiento de una red DC-DC de z
inversor del contraluz de z CCFL
Grados máximos absolutos
Datos termales
Características eléctricas del canal N (℃ TJ=25, a menos que se
indicare en forma diferente)
Características garantizadas de la avalancha
Características de diodo
Nota:
1. Los datos probaron por la superficie montada en un 1 tablero de
inch2 FR-4 con el cobre 2OZ.
2. Los datos probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la
anchura de pulso del ciclo de trabajo
3. La disipación de poder es limitada por temperatura de empalme
150℃
4. Los datos son teóricamente lo mismo que la identificación e IDM,
en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total.
Características eléctricas del P-canal (℃ TJ=25, a menos que se
indicare en forma diferente)
Características garantizadas de la avalancha
Características de diodo
Nota:
1. Los datos probaron por la superficie montada en un 1 tablero de
inch2 FR-4 con el cobre 2OZ.
2. Los datos probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la
anchura de pulso del ciclo de trabajo
3. Los datos de EAS muestran el grado máximo. La condición de
prueba es VDD=-25V, VGS=-10V, L=0.1mH, IAS=-27.2A
4. La disipación de poder es limitada por temperatura de empalme
150℃
5. El valor mínimo es garantía probada EAS del 100%.
6. Los datos son teóricamente lo mismo que la identificación e IDM,
en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total.
Características típicas del canal N
Características típicas del P-canal
Mosfet del poder del transistor de poder del Mosfet que cambia WSF3012 50mΩ RDSON
Carro de la investigación
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