Los Bourns modelan tecnología bipolar aislada HECHA UNA OFERTA de la cosechadora de los transistores de la puerta (IGBTs) de una puerta del MOSFET y de un transistor bipolar y se diseñan para los usos de alto voltaje/de gran intensidad. El modelo HIZO UNA OFERTA tecnología avanzada de la Campo-parada de la Foso-puerta del uso de IGBTs para proporcionar el mayor control de las características dinámicas, dando por resultado un voltaje de saturación más bajo del Colector-emisor y menos pérdidas que cambiaban. El IGBTs ofrece un -55°C a la gama de temperaturas de funcionamiento de +150°C y está disponible en paquetes de TO-252, de TO-247, y de TO-247N. Estos componentes termalmente eficientes proporcionan una resistencia termal más baja que les hace las soluciones convenientes de IGBT para las fuentes de alimentación del Interruptor-modo (SMPS), las fuentes de energía continuas (UPS), y los usos de la corrección de factor de poder (PFC).

CARACTERÍSTICAS

BIDD05N60T
- 600V, 5A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
- Optimizado para la conducción
- Robusto, paquete TO-252
- RoHS obediente
BIDW20N60T
- 600V, 20A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
- Optimizado para la conducción
- Pérdida que cambia baja
- Paquete TO-247
- RoHS obediente
BIDW30N60T
- 600V, 30A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
- Optimizado para la conducción
- Paquete TO-247
- RoHS obediente

BIDW50N65T
- 600V, 50A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
- Optimizado para la conducción
- Paquete TO-247
- RoHS obediente
BIDNW30N60H3
- 600V, 30A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
- Pérdida que cambia baja
- Transferencia rápida
- Paquete de TO-247N
- RoHS obediente

USOS

fuentes de alimentación del Interruptor-modo (SMPS)
Fuentes de energía continuas (UPS)
Corrección de factor de poder (PFC)
Inversores (BIDW50N65T únicos)

Calefacción de inducción (BIDW30N60T y BIDNW30N60H3 únicos)
Motores de pasos (BIDW20N60T únicos)

Etiquetas de productos:

Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W a través del agujero TO-247

Circuitos integrados ICs

Lógica programable ICs

Diodo Zener IC

RF Pin Diode

Diodo del componente electrónico

Retransmisiones de estado sólido

Módulo del transistor de IGBT

Conectores de la entrada-salida

Condensadores de cerámica de múltiples capas

Acoplador óptico de la impulsión de la puerta

Micrófono de Digitaces Mems

Fan Tubeaxial

Botón de la pila del dióxido del manganeso del litio

Obstrucciones comunes del modo

Retransmisiones de fines generales

Conectores estándar sub de D

Gestión ICs del poder

Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W a través del agujero TO-247

Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600 V 60 A 230 W a través del agujero TO-247

Los Bourns modelan los transistores bipolares aislados HECHOS UNA OFERTA de la puerta

CARACTERÍSTICAS

USOS

diode bridge 3 phase

bridge rectifier diode value

0.5 a bridge rectifier