El plástico de CJ2310 S10 encapsula Mosfet dual de la puerta, Mosfet del canal N del poder más elevado
Número de modelo:CJ2310 S10
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3000 PC
Condiciones de pago:T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente:30000PCS
Plazo de expedición:Archivo
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Proveedor Último login veces:
Dentro de 41 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
El MOSFET del canal N de los transistores de CJ2310 S10 NPN PNP Plástico-encapsula los MOSFETS
DESCRIPCIÓN
El CJ2310 utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el
RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación
bajas con voltaje de la puerta tan bajo como 2.5V. Este dispositivo
es conveniente para el uso como protección de la batería o en el
otro uso de la transferencia.
de la CARACTERÍSTICA
Poder más elevado y actual de la capacidad que da
El producto sin plomo es adquirido
Paquete superficial del soporte
del USO
del interruptor de batería
Convertidor de DC/DC
Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Unidad del valor del símbolo del parámetro
Voltaje VDS 60 V de la Dren-fuente
Voltaje VGS ±20 V de la Puerta-fuente
Identificación actual 3 A del dren continuo
Corriente pulsada del dren (nota 1) I DM 10 A
Paladio 0,35 W de la disipación de poder
Resistencia termal del empalme a ambiente (del θJA 357 ℃/W de la
nota 2) R
℃ de la temperatura de empalme TJ 150
℃ de la temperatura de almacenamiento TSTG -55~+150
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de
delicatessen
www.icmemorychip.com
Correo electrónico: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Teléfono: 86-0755-82539981
El plástico de CJ2310 S10 encapsula Mosfet dual de la puerta, Mosfet del canal N del poder más elevado
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