Mosfet original NPT y foso 1200V 50A TO-3P China del transistor 25N120 el nuevo IGBT de FGA25N120ANTD FGA25N120 hizo bulto nuevo en existencia
Uso:Amplificador
Tipo del proveedor:Fabricante original, agencia, minorista
Referencia recíproca:China hizo, abulta nuevo
Medios disponible:Foto
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Number modelo:FGA25N120ANTD
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Evaluación de proveedor
Shenzhen
Dirección:
Rm18 B, bloque A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Detalle del producto
| Empaquetado | Tubo |
|---|---|
| Situación de la parte | Activo |
| Tipo de IGBT | NPT y foso |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 1200V |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | 50A |
| Actual - colector pulsado (Icm) | 90A |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.65V @ 15V, 50A |
| Poder - máximo | 312W |
| Energía que cambia | 4.1mJ (encendido), 960µJ (apagado) |
| Tipo entrado | Estándar |
| Carga de la puerta | 200nC |
| TD (con./desc.) @ 25°C | 50ns/190ns |
| Condición de prueba | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación reversa (trr) | 350ns |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete/caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
| Número de parte bajo | FGA25N120A |
Mosfet original NPT y foso 1200V 50A TO-3P China del transistor 25N120 el nuevo IGBT de FGA25N120ANTD FGA25N120 hizo bulto nuevo en existencia
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