Electrónica de potencia MOSFET IRF530NPBF Aplicaciones de conmutación MOSFET de canal N de alta potencia...
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IRFP260N MOSFET de canal N 200V 50A 300W a través del orificio TO-247AC Caracteristicas Tecnología avanzada de procesos Clasificación dinámica dv / dt ......
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MOSFET de PowerTrench del P-canal del MOSFET 30V del transistor de poder del Mosfet de FDS6681Z Características de la descripción general...
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La DESCRIPCIÓN potente del transistor del nivel de la lógica del interruptor 2N60 TO-220F del transistor del nivel de la lógica/del Mosfet del canal N ......
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Circuito de conmutación MOSFET de alta tensión de baja resistencia para adaptador y cargador Descripción del producto: Una de las características cl......
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Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P...
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LOS CIRCUITOS INTEGRADOS A ESTRENAR Y ORIGINALES DEL COMPONENTE ELECTRÓNICO DE IRF3710PBF SALTAN IC Categoría de producto: MOSFET...
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Canal P original Mosfet IRLML6402TRPBF / circuito integrado IC Canal P Descripción: Estos MOSFET de canal P de International Rectifier utilizan...
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Descripción del MOSFET del poder del canal N STP15810: Los MOSFETs de este poder del canal N utilizan la tecnología de STripFET™ F7 con una estructura ......
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ISO9001.pdf (en inglés) IPD082N10N3 es un transistor MOSFET de canal N. Las siguientes son sus aplicaciones, conclusiones y parámetros:Aplicación:Ut......
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Nuestra ventaja: Productos de alta calidad --- nuestras ofertas son 100% nuevas y originales, ROHS Precio competitivo --- buenos canales de co...
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Microprocesador 650V TO-263-8 del circuito integrado de los transistores IPBE65R115CFD7A de los MOSFETs del canal N Descripción de producto d...
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HEXFET MOSFET de potencia T ♦ ultra baja resistencia ♦ P-MOSFET de canal ♦ SOT-23 Huella ♦ de perfil bajo (<1,1 mm) ♦ Disponible en cin...
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MOSFET de potencia IRFM250 Se aplicará el método de comprobación de los resultados de ensayo. Resumen del producto Número de la pieza RDS ((on) ID IRF......
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MOSFET NUEVO Y ORIGINAL SOT23-3 IRLML6401TRPBF del canal N IRLML6401 Productos Descripción: MOSFET; Poder; P-Ch; VDSS -12V; RDS (ENCENDIDO)...
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MOSFET dual del canal N de HXY9926A 20V Descripción general El HXY9926A utiliza tecnología avanzada del foso a proporcione el RDS excel...
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LVL del registro del MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC de IRLML5203TRPBF Infineon/IR 1. En-resistencia ultrabajaMOSFET del P-canalS...
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Circuitos integrados IC original y nuevo,CJ2301 SOT-23 MOSFET de canal P 2.3A20V CJ Changjing original [¿Cuánto?o ¿Qué estamos haciendo?] La Co...
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Descripción del producto: El MOSFET de alto voltaje es un tipo de mosfet de potencia, que está diseñado para aplicaciones de alto voltaje.aplicación......
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Se recomienda el uso de un método de medición de los efectos de los gases de efecto invernadero. Atributo del producto Valor del atributo El fa...
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