Chip CI de los circuitos integrados del MOSFET del canal N del componente electrónico de IRF3710PBF 1
Number modelo:IRF3710PBF
Lugar del origen:Fabricante original
Cantidad de orden mínima:Cantidad de orden mínima: 100 PCS
Condiciones de pago:T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer
Capacidad de la fuente:10Kpcs
Plazo de expedición:Dentro de 3days
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Shenzhen China
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2A2003, edificio 2, jardín de Baohuju, avenida de 200 Huaqing, comunidad de Qinghu, calle de Longhua, distrito de Longhua, Shenzhen
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
LOS CIRCUITOS INTEGRADOS A ESTRENAR Y ORIGINALES DEL COMPONENTE ELECTRÓNICO DE IRF3710PBF SALTAN IC
| Categoría de producto: | MOSFET | |
| RoHS: | Detalles | |
| Tecnología: | Si | |
| Montaje de estilo: | A través del agujero | |
| Paquete/caso: | TO-220-3 | |
| Polaridad del transistor: | Canal N | |
| Número de canales: | 1 canal | |
| Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: | 100 V | |
| Identificación - corriente continua del dren: | 57 A | |
| Rds en - resistencia de la Dren-fuente: | 23 mOhms | |
| Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: | - 20 V, + 20 V | |
| Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: | 4 V | |
| Qg - carga de la puerta: | 86,7 nC | |
| Temperatura de funcionamiento mínima: | - 55 C | |
| Temperatura de funcionamiento máximo: | + 175 C | |
| Paladio - disipación de poder: | 200 W | |
| Modo del canal: | Aumento | |
| Empaquetado: | ||
| Marca: | ||
| Configuración: | Solo | |
| Altura: | 15,65 milímetros | |
| Longitud: | 10 milímetros | |
| Tipo de producto: | MOSFET | |
| 1000 | ||
| Subcategoría: | MOSFETs | |
| Tipo del transistor: | 1 canal N | |
| Anchura: | 4,4 milímetros | |
| Parte # alias: | IRF3710PBF SP001551058 | |
| Peso de unidad: | 0,068784 onzas |
Chip CI de los circuitos integrados del MOSFET del canal N del componente electrónico de IRF3710PBF 1
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