Huella ultrabaja IRLML6402TRPBF que cambia rápido del MOSFET SOT-23 del P-canal del MOSFET del poder de la En-resistencia HEXFET

Número de modelo:IRLML6402TRPBF
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5200PCS
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

HEXFET MOSFET de potencia T


♦ ultra baja resistencia

♦ P-MOSFET de canal


♦ SOT-23 Huella

♦ de perfil bajo (<1,1 mm)


♦ Disponible en cinta y carrete

♦ Cambio rápido


Estos MOSFET de canal P de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr extremadamente baja onresistance por área de silicio. Este beneficio, junto con la velocidad de conmutación rápido y robusto diseño de dispositivos que HEXFET® MOSFET de potencia son bien conocidos por, ofrece al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en la batería y la gestión de la carga.


Un gran cuadro de conductores almohadilla térmicamente mejorado se ha incorporado en el paquete estándar SOT-23 para producir una potencia MOSFET HEXFET con el tamaño más pequeño de la industria. Este paquete, conocido como el Micro3 ™, es ideal para aplicaciones donde el espacio placa de circuito impreso es un bien escaso. El perfil bajo (<1,1 mm) de la Micro3 permite que quepa fácilmente en entornos de aplicaciones extremadamente delgadas, tales como dispositivos electrónicos portátiles y tarjetas PCMCIA. La resistencia térmica y disipación de energía son los mejores disponibles.


ParámetroMax.Unidades
V DSDrenaje Tensión de fuente-20V
I D @ TA = 25 ° CCorriente continua de drenaje, VGS @ -4.5V-3,7UN
I D @ TA = 70 ° CCorriente continua de drenaje, VGS @ -4.5V-2.2
me DMPulsada la corriente de drenaje-22
P D @TA = 25 ° CDisipación de potencia1.3W
P D @TA = 70 ° CDisipación de potencia0,8
Factor de corrección lineal0.01BAÑO
E ASPulso sola avalancha de Energía11mJ
V GSPuerta-a-voltaje de la fuente± 12V

China Huella ultrabaja IRLML6402TRPBF que cambia rápido del MOSFET SOT-23 del P-canal del MOSFET del poder de la En-resistencia HEXFET supplier

Huella ultrabaja IRLML6402TRPBF que cambia rápido del MOSFET SOT-23 del P-canal del MOSFET del poder de la En-resistencia HEXFET

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