MOSFET 200V 50A 300W del canal N de IRFP260N a través del agujero TO-247AC
Características
Tecnología de proceso avanzada
Grado dinámico de dv/dt
temperatura de funcionamiento 175°C
¿Transferencia rápida?
¿Completamente avalancha clasificada?
¿Facilidad de ser paralelo a?
¿Requisitos simples TO-247AC de la impulsión?
Sin plomo
| Tipo del FET |
Canal N |
| Tecnología |
MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) |
200V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C |
50A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs |
40 mOhm @ 28A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ |
4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs |
234nC @ 10V |
| Vgs (máximo) |
±20V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds |
4057pF @ 25V |
| Característica del FET |
- |
| Disipación de poder (máxima) |
300W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C |
| Lista de otros componentes electrónicos en existencia |
| TK15420MTL |
TOKO |
|
BQ24741RHDR |
TI |
| SI3900DV-T1-E3 |
VISHAY |
|
LOS 30H80028-01M |
HTC |
| SCA630-C28H1A |
VTI |
|
TC55B328J-10 |
TOSHIBA |
| CD4044BE |
TI |
|
RF6886 |
RFMD |
| TK11248BUCB |
TOKO |
|
QEPD |
INTEL |
| TDA8004T/C1 |
NXP |
|
PEF82902FV1.1 |
INFINEON |
| SMP8654A |
SIGMA |
|
74AHCT1G86DCKRE4 |
TI |
| SKY77725-14 |
SKYWORKS |
|
UPA1709G-E2 |
NEC |
| HFCN-1100+ |
MINI |
|
TLP621 (D4-BL |
TOSHIBA |
| CS5381-KSZ |
CIRRO |
|
STM32F103S6T6A |
STM |
| TPS73615DBVTG4 |
TI |
|
PEB2025NV1.5 |
SIEMENS |
| TLV3402IDR |
TI |
|
PH28F256L30B85 |
INTEL |
| KE4CN2H5A-A58 |
KINGSTON |
|
CS5372AISZ |
CIRRUSLOGIC |
| OPA2681N |
TI |
|
M82359G-12 |
MNDSPEE |
| ER2004FCT |
CPE |
|
ADM6713ZAKS-REEL7 |
ADI |
| AD5321BRMZ-REEL7 |
ADI |
|
SN74ALS32N |
TI |
| MT48LC16M16A2B4-6A LAS TIC: G |
MICRÓN |
|
OPA2735AIDGKR |
TI |
| ISO15DWR |
TI |
|
MT46V32M8P-6TL |
MICRÓN |
| CD90-V7830-1ETR |
QUALCOMM |
|
ADL5367ACPZ |
ADI |
| SN74LVCH16374ADLR |
TI |
|
UB6232QF |
ENE |
