P - Canalice los circuitos integrados digitales del Mosfet, circuitos de IRLML6402TRPBF Digitaces IC
Número de modelo:IRLML6402TRPBF
Lugar del origen:CN
Cantidad de orden mínima:100
Condiciones de pago:T / T, Western Union, MoneyGram
Detalles de empaquetado:plástico +carton
Paquete:SOT-23-3
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
311EF, B Buliding, Zhengzhong Time Square, distrito de Longgang, ciudad de Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces:
Dentro de 41 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Canal P original Mosfet IRLML6402TRPBF / circuito integrado IC
Canal P
Descripción:
Estos MOSFET de canal P de International Rectifier utilizan
Técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia
extremadamente baja
por área de silicio. Este beneficio, combinado con el rápido
velocidad de conmutación y diseño de dispositivo resistente que
los MOSFET de potencia son bien conocidos por proporcionar al
diseñador
un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en
baterías y
gestión de carga.
Se ha incorporado un marco de derivación de almohadilla grande
mejorado térmicamente
en el paquete estándar SOT-23 para producir un poder
MOSFET con la huella más pequeña de la industria. Este paquete,
, es ideal para aplicaciones donde se imprime
El espacio de la placa de circuito es muy importante. El perfil
bajo (<1.1 mm)
de lo que le permite encajar fácilmente en aplicaciones
extremadamente delgadas
entornos como la electrónica portátil y las tarjetas PCMCIA.
La resistencia térmica y la disipación de potencia son las mejores.
disponible.
Característica:
Ultra baja resistencia
MOSFET de canal P
Huella SOT-23
Perfil bajo (<1.1 mm)
Disponible en cinta y carrete
Cambio rápido
| Parámetro | Max. | Unidades | |
| ID @ TC = 25 ° C | Intensidad Drenador Continua, VGS @ 10V | 50 | UNA |
| ID @ TC = 100 ° C | Intensidad Drenador Continua, VGS @ 10V | 35 | |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada | 200 | |
| PD @TC = 25 ° C | Disipación de potencia | 300 | W |
| Factor de reducción lineal | 2,0 | W / ° C | |
| VGS | Voltaje de puerta a fuente | ± 20 | V |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único | 560 | mJ |
| IAR | Corriente de avalancha | 50 | UNA |
| OÍDO | Energía repetitiva de avalanchas | 30 | mJ |
| dv / dt | Recuperación máxima de diodos dv / dt | 10 | V / ns |
| TJ TSTG | Unión operativa y rango de temperatura de almacenamiento | -55 a +175 | ° C |
| Temperatura de soldadura, por 10 segundos | 300 (1,6 mm de la caja) | ||
| Par de montaje, 6-32 o M3 srew | 10 lbf • in (1.1N • m) |
Detalles de contacto:
Contacto: Angel Sun
Tel: + 86-13528847020
Correo electrónico: Admin@winsunhk.cn
Skype: Angelsun618
Whatsapp: 13528847020
Wechat : 13528847020
QQ: 553695308
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