IPD082N10N3 TO-252 IC Circuito integrado N de canales N Transistor Mosfet

Number modelo:IPD082N10N3
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:1PCS
Condiciones de pago:D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:57830pcs
Plazo de expedición:3
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Shenzhen China
Dirección: 2515 siglo huiduhuixuan, no. 3078, camino medio de Shennan, calle de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 2 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

 

ISO9001.pdf (en inglés)

IPD082N10N3 es un transistor MOSFET de canal N. Las siguientes son sus aplicaciones, conclusiones y parámetros:
Aplicación:
Utilizado como interruptor de carga de alto voltaje y de alta potencia
Utilizado como interruptor para convertidores y reguladores
Conclusión:
Capacidad de alta tensión: Vds=100V
Baja resistencia de conducción: Rds (encendido) = 8,2 m Ω (típico)
Velocidad de conmutación rápida: td (encendido) = 16ns (típico), td (apagado) = 60ns (típico)
Rendimiento a altas temperaturas: puede funcionar a temperaturas de hasta 175 °C
Cumple con las directivas RoHS y los requisitos libres de plomo
Parámetros:
Vds (tensión de la fuente de drenaje): 100V
Vgs (tensión de la fuente de la puerta): ± 20V
Id (corriente de drenaje): 80A
Rds (encendido) (resistencia de conducción): 8,2 m Ω (típico)
Qg (carga de la puerta): 135nC (típico)
Td (encendido) (tiempo de retraso de arranque): 16 ns (típico)
Td (apagado) (tiempo de retraso de apagado): 60 ns (típico)
Tj (temperatura de unión): 175 °C
Cumple con las directivas RoHS y los requisitos libres de plomo.

Especificaciones técnicas del producto 
  
La RoHS de la UEConforme a la exención聽
El precio de venta de la mercancíaEl EAR99
Estado de las partesNo confirmado
SVHC- ¿ Qué?
El SVHC excede el umbral- ¿ Qué?
AutomóvilNo se conoce
PPAPNo se conoce
Categoría de productosMOSFET de potencia
ConfiguraciónNo casado
Tecnología de procesosOptiMOS 3
Modo de canalMejoramiento
Tipo de canalNo
Número de elementos por chip1
Voltado máximo de la fuente de drenaje (V)100
Voltado máximo de la fuente de la puerta (V)₹ 20
Ventilación de puerto de entrada (V)3.5
Corriente máxima de drenaje continuo (A)80
Corriente máxima de fuga de la fuente de la puerta (nA)100
Se aplicará el método de ensayo de la norma de seguridad de los vehículos.1
Resistencia máxima de la fuente de drenaje (mOhm)8.2@10V
Carga típica de la puerta @ Vgs (nC)42@10V
Carga típica de la puerta @ 10V (nC)42
Capacidad de entrada típica @ Vds (pF)2990@50V
Disposición máxima de potencia (mW)125000
Tiempo de caída típico (ns)8
Tiempo de aumento típico (ns)42
Tiempo de retraso típico de apagado (ns)31
Tiempo (s) de retraso típico de encendido18
Temperatura mínima de funcionamiento ( capturadoC)- 55 años
Temperatura máxima de funcionamiento ( capturado)175
EmbalajeCintas y bobinas
El montajeMontura de la superficie
Altura del paquete2.41 (máximo)
Ancho del paquete6.22 (máximo)
Duración del paquete6.73 (máximo)
PCB cambiado2
- ¿ Qué?- ¿ Qué?
Nombre estándar del paqueteTO-252
Paquete para proveedoresDPAK
Número de pines3
Forma del plomoLas aves de corral
China IPD082N10N3 TO-252 IC Circuito integrado N de canales N Transistor Mosfet supplier

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