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MOSFET 200V 50A 300W del canal N de IRFP260N a través del agujero TO-247AC
Características
Tecnología de proceso avanzada
Grado dinámico de dv/dt
temperatura de funcionamiento 175°C
¿Transferencia rápida?
¿Completamente avalancha clasificada?
¿Facilidad de ser paralelo a?
¿Requisitos simples TO-247AC de la impulsión?
Sin plomo
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 200V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 40 mOhm @ 28A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 234nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4057pF @ 25V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 300W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C |
| Lista de otros componentes electrónicos en existencia | ||||
| TK15420MTL | TOKO | BQ24741RHDR | TI | |
| SI3900DV-T1-E3 | VISHAY | LOS 30H80028-01M | HTC | |
| SCA630-C28H1A | VTI | TC55B328J-10 | TOSHIBA | |
| CD4044BE | TI | RF6886 | RFMD | |
| TK11248BUCB | TOKO | QEPD | INTEL | |
| TDA8004T/C1 | NXP | PEF82902FV1.1 | INFINEON | |
| SMP8654A | SIGMA | 74AHCT1G86DCKRE4 | TI | |
| SKY77725-14 | SKYWORKS | UPA1709G-E2 | NEC | |
| HFCN-1100+ | MINI | TLP621 (D4-BL | TOSHIBA | |
| CS5381-KSZ | CIRRO | STM32F103S6T6A | STM | |
| TPS73615DBVTG4 | TI | PEB2025NV1.5 | SIEMENS | |
| TLV3402IDR | TI | PH28F256L30B85 | INTEL | |
| KE4CN2H5A-A58 | KINGSTON | CS5372AISZ | CIRRUSLOGIC | |
| OPA2681N | TI | M82359G-12 | MNDSPEE | |
| ER2004FCT | CPE | ADM6713ZAKS-REEL7 | ADI | |
| AD5321BRMZ-REEL7 | ADI | SN74ALS32N | TI | |
| MT48LC16M16A2B4-6A LAS TIC: G | MICRÓN | OPA2735AIDGKR | TI | |
| ISO15DWR | TI | MT46V32M8P-6TL | MICRÓN | |
| CD90-V7830-1ETR | QUALCOMM | ADL5367ACPZ | ADI | |
| SN74LVCH16374ADLR | TI | UB6232QF | ENE | |