Paladio 1.3W del Mosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF del canal N IRLML6401
Number modelo:IRLML6401TRPBF
Cantidad de orden mínima:discutible
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000 PC por mes
Plazo de expedición:días 1-7Work
Detalles de empaquetado:original
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
B615, edificio de Niulanqian, avenida de Minzhi, distrito de Longhua, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong, China
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MOSFET NUEVO Y ORIGINAL SOT23-3 IRLML6401TRPBF del canal N IRLML6401
Productos Descripción:
MOSFET; Poder; P-Ch; VDSS -12V; RDS (ENCENDIDO) 0.05Ohm; Identificación -4.3A; Micro3; Paladio 1.3W; VGS +/-8V
MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin T/R micro del transporte
Transistor: P-MOSFET; unipolar; nivel de la lógica; -12V; -4.3A;
1.3W
Estos MOSFETs del P-canal del rectificador internacional utilizan
técnicas advancedprocessing para alcanzar extremadamente -
en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada
con la velocidad que cambia rápida y el devicedesign construido
sólidamente que los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido
para, provee del thedesigner un dispositivo extremadamente
eficiente y confiable para el uso en la gestión del andload de la
batería. Un leadframe grande termalmente aumentado del cojín se ha
incorporado en el paquete del thestandard SOT-23 para producir un
MOSFET del poder de HEXFET con la huella más pequeña de los
theindustry. Este paquete, doblado el Micro3™, es forapplications
ideales donde está el espacio impreso de la placa de circuito en un
premio. El perfil bajo (<1>
Parámetros tecnológicos:
| Voltaje del umbral | 550 milivoltio |
| capacitancia de la entrada | 830 PF |
| Poder clasificado | 1,3 W |
| polaridad | P-canal |
| Método de la instalación | Soporte superficial |
| número pin | 3 |
| paquete | SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| Empaquetado | Cinta y carrete (TR) |
| Usos de fabricación | Interruptores de DC |
Paladio 1.3W del Mosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF del canal N IRLML6401
Carro de la investigación
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