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circuitos integrados electrónicos

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:Mr段

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China IRLML5203TRPBF Infineon/MOSFET bajo del MOSFET del P-canal de la carga de la puerta de la En-resistencia baja de IRUltra wholesale

IRLML5203TRPBF Infineon/MOSFET bajo del MOSFET del P-canal de la carga de la puerta de la En-resistencia baja de IRUltra

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Number modelo :IRLML5203TRPBF

Lugar del origen :Chian

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union

Capacidad de la fuente :18000PCS/Week

Plazo de expedición :2-3 días

Detalles de empaquetado :3000pcs/reel

Categoría de producto :MOSFET

tecnología :Si

Polaridad del transistor :P-canal

Número de canales :1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :30 V

Identificación - corriente continua del dren :3 A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente :165 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :- 20 V, + 20 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente :4 V

Qg - carga de la puerta :9,5 nC

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C

Paladio - disipación de poder :W 1,25

Modo del canal :Aumento

Altura :1,1 milímetros

Longitud :2,9 milímetros

Anchura :1,3 mm

Cantidad que embala de la fábrica :3000

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LVL del registro del MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC de IRLML5203TRPBF Infineon/IR

1. En-resistencia ultrabaja
MOSFET del P-canal
Soporte superficial
Disponible en cinta y carrete
Carga baja de la puerta
Sin plomo
RoHS obediente, Halógeno-libre

2.Description
Estos MOSFETs del P-canal de las técnicas de proceso utilizeadvanced rectificador internacional para alcanzar extremadamente la lowon-resistencia por área del silicio. Esta ventaja provee del thedesigner un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en usos de la gestión de la carga del batteryand.
Un leadframe grande termalmente aumentado del cojín beenincorporated en el paquete estándar SOT-23 para producir el MOSFET del poder del aHEXFET con la huella más pequeña de la industria. Este paquete, dobló el Micro3TM, es ideal para el applicationswhere imprimió a la placa de circuito que el espacio está en un premio. El lowprofile (<1>

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