conductor lateral compatible del interruptor del Mosfet del canal N de Bldc de la lógica de 450mA 850mA 3.3V alto
Number modelo:JY21L
Cantidad de orden mínima:1 sistema
Detalles de empaquetado:CARTÓN DEL PE BAG+
Lugar del origen:CHINA
Plazo de expedición:5-10 días
Condiciones de pago:T/T, L/C, Paypal
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Evaluación de proveedor
Changzhou Jiangsu China
Dirección:
No. 8 Tianshan Road, distrito de Xinbei, Changzhou, Jiangsu, China.
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P-EPI.
Descripción general
El producto es un conductor de alto voltaje, de alta velocidad del
MOSFET del poder y de IGBT basado encendido
Proceso de P-SUB P-EPI. El conductor del canal de flotación se
puede utilizar para conducir el canal N dos
MOSFET o IGBT del poder independientemente que actúan hasta 150V.
Las entradas de la lógica son
compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la
lógica 3.3V. La salida
los conductores ofrecen una etapa de almacenador intermediario
actual del alto pulso diseñada para la cruz mínima del conductor
conducción. Los retrasos de propagación se hacen juego para
simplificar uso en de alta frecuencia
usos.
Características
●lógica 3.3V compatible
●Completamente - operativo a +150V
●Canal de flotación diseñado para la operación del tirante
●Gama de la fuente de la impulsión de la puerta de 5.5V a 20V
●Capacidad actual 450mA/850mA de la fuente/del fregadero de la
salida
●Entrada independiente de la lógica para acomodar todas las
topologías
●-5V negativo contra capacidad
●Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
Usos
●Conductor del MOSFET o de IGBT del poder
●Conductor pequeño y de potencia media del motor
Pin Description
| Pin Number | Pin Name | Pin Function |
| 1 | VCC | Fuente del lado bajo y de alimentación principal |
| 2 | HIN | Entrada de la lógica para la alta salida lateral del conductor de la puerta (HO) |
| 3 | LIN | Entrada de la lógica para la salida lateral baja del conductor de la puerta (LO) |
| 4 | COM | Tierra |
| 5 | LO | Salida lateral baja de la impulsión de la puerta, en fase con LIN |
| 6 | CONTRA | Vuelta flotante de la fuente del alto lado o vuelta del tirante |
| 7 | HO | Alta salida lateral de la impulsión de la puerta, en fase con HIN |
| 8 | VB | Fuente flotante del alto lado |
Grados máximos absolutos
| Símbolo | Definición | MÍNIMO. | MÁXIMO. | Unidades |
| VB | Fuente flotante del alto lado | -0,3 | 150 | V |
| CONTRA | Vuelta flotante de la fuente del alto lado | VB-20 | VB +0,3 | |
| VHO | Alta salida lateral de la impulsión de la puerta | VS-0.3 | VB +0,3 | |
| VCC | Fuente del lado bajo y de alimentación principal | -0,3 | 25 | |
| VLO | Salida lateral baja de la impulsión de la puerta | -0,3 | VCC +0,3 | |
| VIN | Entrada de la lógica de HIN&LIN | -0,3 | VCC +0,3 | |
| ESD | Modelo de HBM | 2500 | V | |
| Modelo de máquina | 200 | V | ||
| Paladio | Disipación de poder del paquete @TA≤25ºC | — | 0,63 | W |
| RthJA | Empalme de la resistencia termal a ambiente | — | 200 | ºC/W |
| TJ | Temperatura de empalme | — | 150 | ºC |
| TS | Temperatura de almacenamiento | -55 | 150 | |
| TL | Temperatura de la ventaja | — | 300 |
Nota: Exceder estos grados puede dañar el dispositivo
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY21L
conductor lateral compatible del interruptor del Mosfet del canal N de Bldc de la lógica de 450mA 850mA 3.3V alto
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