Modo de mejora del mosfet

DMN26D0UFB4-7 Diodos MOSFET Modo de mejora MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006 Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. F...

JY4N8M N Modo de mejora del canal MOSFET de montaje de superficie de potencia para el conductor del motor BLDC Descripción general: El JY4N8M util...

4A 500V 2.1Ω MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N para energía de espera MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N No de la parte...

METROsistema operativoFhora del EsteFuerzaElectrónicaMGSF2N02ELT1G SOT-23 Paquete 2.8 A 20 VN Modo de mejora de canal Transistor MOSFET...

Descripción general de la descripción del MOSFET del modo del aumento del P-canal de -30V: El 9435A es los solos transistores de efecto de campo del ......

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal • Canal de P • Modo del aumento...

Chip de circuito integrado de 40 V DMT47M2SFVWQ MOSFET de modo de mejora de canal N a 150 °C Descripción del producto DMT47M2SFVWQ DMT47M2SFVWQ N-C...

MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ del poder de Enhancement−Mode del P-canal del MOSFET NVMS5P02 del poder más elevado solo [Quién somos?] C...

MOSFETs del lateral del Aumento-modo del canal N de los transistores de poder de MRF6V2150NBR1 RF Características • Caracterizado con grande equ...

MICROPROCESADOR AP4953GM DEL CIRCUITO INTEGRADO --MOSFET DEL PODER DEL MODO DEL AUMENTO DEL P-CANAL Detalle rápido: MOSFET DEL PODER DEL MOD...

Mosfet linear del poder del foso del mosfet del poder del MOSFET del MODO del AUMENTO del P-CANAL de ZXMP10A17E6TA 100V CARACTERÍSTICAS • E...

MOSFET del poder de JY8N5M N Channel Enhancement Mode para la fuente de alimentación del modo del interruptor Descripción generalEl producto utiliza...

MOSFET dual del Aumento-modo del canal N de FS8205A (20V, 6A) 1.Description Este canal N 2.5V especificó el MOSFET es una versión rugosa de la p...

BS816A-1 Modo de mejora del canal P Dmos Transistores RF Transistores El fabricante: Diodos de aluminio Categoría de producto: Mejora del canal...

Canal N 600 V, tipo del Mosfet del transistor de poder del Mosfet STWA65N60DM6 de 0,084 ohmios., 30 una característica del poder TO-247 de MDmesh DM6 ......

Detalle del producto 1. Mercancías comunes, de la orden o recepción de fabricación.2. Orden de la muestra.3. Le contestaremos para su inves...

Descripción general: Características: El JY4N8M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y...

La Comisión no ha tenido en cuenta las conclusiones de la Comisión.Bienvenido a nuestra empresa! Somos su fuente de componentes electrónicos todo en......

El transistor del canal N de los mosfets del poder SIHF10N40D-E3 actúa en modo del aumento La disipación de poder máxima del SIHF10N40D-E3 de Vishay......