40V/80A TO-252 N Modo de mejora del canal Potencia MOSFET JY4N8M
Número de modelo:JY4N8M
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:50pcs (muestra disponible)
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de suministro:30000 piezas por mes
Plazo de expedición:dependa de la cantidad /Negotiable de la orden
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Changzhou Jiangsu China
Dirección:
No.299 Changjiang North Rd, ciudad de Changzhou, Jiangsu, China
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Descripción general:
Características:
El JY4N8M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con una baja carga de puerta.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en la aplicación de conmutación de energía y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Aplicaciones:
● 40V/80A, RDS ((ON) ≤6,5mΩ@VGS=10V
● Cambio rápido y recuperación del cuerpo al revés
● Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas
● Excelente paquete para una buena disipación de calor
Descripción del PIN:
Las calificaciones máximas absolutas ((Tc=25°C a menos que se indique lo contrario)
| El símbolo | Parámetro | Límites | Unidad | |
| V.D.S. | Voltado de la fuente de drenaje | 40 | V. | |
| V.GS | Voltado de la fuente de la puerta | ± 20 | V. | |
| Yo...D | Corriente de drenaje continua | Tc=25°C | 80 | A. No |
| Tc=100°C | 55 | |||
| Yo...El DM | Corriente de drenaje pulsado | 350 | A. No | |
| PD | Disposición máxima de energía | 80 | No | |
| T.J.T.Sector de la salud | Intervalo de temperatura de las uniones de funcionamiento y de almacenamiento | -55 ~ +175 | °C | |
| REl JJC | Resistencia térmica-junción con el estuche | 1.88 | °C/W | |
| REl TJA | Resistencia térmica-junción con el ambiente | 92 | ||
Esquema del paquete:
| El símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| - ¿Qué es eso? | - ¿Qué quieres decir? | - ¿Qué es eso? | - ¿Qué quieres decir? | |
| A. No | 2.200 | 2.400 | 0.087 | 0.094 |
| A1 | 0.000 | 0.127 | 0.000 | 0.005 |
| b | 0.660 | 0.860 | 0.026 | 0.034 |
| c | 0.460 | 0.580 | 0.018 | 0.023 |
| D | 6.500 | 6.700 | 0.256 | 0.264 |
| D1 | 5.100 | 5.460 | 0.201 | 0.215 |
| D2 | 0.483 tipo. | 0.190 tipo. | ||
| - ¿ Por qué? | 6.000 | 6.2000 | 0.236 | 0.244 |
| El | 2.186 | 2.386 | 0.086 | 0.094 |
| - ¿ Qué? | 9.800 | 10.400 | 0.386 | 0.409 |
| L1 | 2.900 TYP | 0.114 tipo. | ||
| L2 | 1.400 | 1.700 | 0.055 | 0.067 |
| L3 | 1.600 TYP | 0.063 tipo. | ||
| L4 | 0.600 | 1.000 | 0.024 | 0.039 |
| ¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡ | 1.100 | 1.300 | 0.043 | 0.051 |
| El | 0° | 8° | 0° | 8° |
| h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
| V | 5.350 tipo. | 0.211 tipo. | ||
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ivanzhu@junqitrading.com
40V/80A TO-252 N Modo de mejora del canal Potencia MOSFET JY4N8M
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