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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:Mr段

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China MOSFET dual 20V 6A del modo del aumento del canal N de FS8205A wholesale

MOSFET dual 20V 6A del modo del aumento del canal N de FS8205A

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Number modelo :FS8205A

Lugar del origen :Taiwán

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union

Capacidad de la fuente :12000PCS/WEEK

Plazo de expedición :2-3days

Detalles de empaquetado :3000PCS/REEL

Lluvia-fuente Voltag :20A

Drene actual (continuo) :6A

Comer-fuente Voltag :±12

Corriente del dren (pulsada) *1 :30A

Disipación de poder total @TA=25oC :1.5W

Disipación de poder total @TA=75oC :0.96W

Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento :℃ -55 A +150

Empalme de la resistencia termal a Ambient*2 :83℃/W

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MOSFET dual del Aumento-modo del canal N de FS8205A (20V, 6A)

1.Description

Este canal N 2.5V especificó el MOSFET es una versión rugosa de la puerta del proceso avanzado del foso. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder con una amplia gama de voltaje de la impulsión de la puerta (2.5V-10V)

2.Features

RDS (encendido) =38mΩ@VGS=2.5V, ID=5.2A; RDS (encendido) =25mΩ@VGS=4.5V, ID=6A
• Diseño de alta densidad de la célula para la En-resistencia ultrabaja
• Poder más elevado y capacidad que da actual
• Voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha
• Ideal para los usos del paquete del batería li-ion

3.Applications

Protección de la batería
Interruptor de la carga
Gestión del poder

circuito 4.SwitchingTest

Dimensión 5.TSSOP-8L

¿6.Why nos eligen?

el 100% nuevo y originao con precio de la ventaja
Eficacia alta
Entrega rápida
Servicio profesional del equipo
10 años experimentan componentes electrónicos
Agente de los componentes electrónicos
Descuento logístico de la ventaja
Servicio post-venta excelente

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