Productos proveedores Sign in Register

Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
10 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / Power Mosfet Transistor /

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

Categorías de Producto

microprocesador del circuito integrado

 [629]

chips CI programables

 [290]

Chips de la placa de circuito

 [276]

Diodo de rectificador

 [509]

Transistor del Mosfet del poder

 [450]

3 pines del transistor

 [234]

RJ45 Ethernet Jack

 [15]

Sensor de presión del IC

 [55]

Módulo de potencia MOSFET

 [72]

SMD núcleo de ferrita

 [113]

el smd llevó el diodo

 [42]

Resistencias SMD

 [31]

Chips electrónicos IC

 [509]

componentes de la electrónica

 [204]
Contacta
Anterwell Technology Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
Ver detalles de contacto
Contacta
China Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal wholesale
  • China Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal wholesale

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal
Preguntar último precio
Número de modelo :BSP315
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :6800PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Línea principal :Ic, módulo, transistor, diodos, condensador, resistor etc
Características :Canal de P
Features2 :Modo del aumento
Features3 :• Nivel de la lógica
Features4 :VGS (th) = -0,8… - 2,0 V
Paquete :SOT-23
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

 

 

• Canal de P

• Modo del aumento                    Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

• Nivel de la lógica

• VGS (th) = -0,8… - 2,0 V

 

 

 

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

voltaje de avería de la Dren-fuente V (BR) DSS = ƒ (Tj)

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal 

 

 

Impedancia termal transitoria Zth JA = parámetro del ƒ (tp): D = tp/T

 

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal 

 

 

 

Grados máximos

Parámetro  Símbolo  Valores  Unidad
Drene el voltaje de la fuente  VDS  -50 V

voltaje de la Dren-puerta

RGS = kΩ 20

 VDGR -50
Voltaje de fuente de puerta VGS  ± 20

Corriente continua del dren

TA = °C 39

 ID -1,1 A

Corriente del dren de DC,

pulsado TA = °C 25

 IDpuls -4,4

Disipación de poder

TA = °C 25

 Bebé de P 1,8 W

 

 

Etiquetas de productos:

p-channel mosfet sot-23

ldmos transistor

p channel de mosfet
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4