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Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

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China Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal wholesale
  • China Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal wholesale

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal
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Número de modelo :BSP315
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :6800PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Línea principal :Ic, módulo, transistor, diodos, condensador, resistor etc
Características :Canal de P
Features2 :Modo del aumento
Features3 :• Nivel de la lógica
Features4 :VGS (th) = -0,8… - 2,0 V
Paquete :SOT-23
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Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

 

 

• Canal de P

• Modo del aumento                    Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

• Nivel de la lógica

• VGS (th) = -0,8… - 2,0 V

 

 

 

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

voltaje de avería de la Dren-fuente V (BR) DSS = ƒ (Tj)

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal 

 

 

Impedancia termal transitoria Zth JA = parámetro del ƒ (tp): D = tp/T

 

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal 

 

 

 

Grados máximos

Parámetro  Símbolo  Valores  Unidad
Drene el voltaje de la fuente  VDS  -50 V

voltaje de la Dren-puerta

RGS = kΩ 20

 VDGR -50
Voltaje de fuente de puerta VGS  ± 20

Corriente continua del dren

TA = °C 39

 ID -1,1 A

Corriente del dren de DC,

pulsado TA = °C 25

 IDpuls -4,4

Disipación de poder

TA = °C 25

 Bebé de P 1,8 W

 

 

Etiquetas de productos:

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