Lateral del modo del aumento del canal N del transistor de poder del Mosfet MRF6V2150NBR1
Número de modelo:MRF6V2150NBR1
Lugar del origen:ESTADOS UNIDOS
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10000 pedazos por año
Plazo de expedición:1-2 días hábiles
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
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Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
MOSFETs del lateral del Aumento-modo del canal N de los transistores de poder de MRF6V2150NBR1 RF
Características
• Caracterizado con grande equivalente de la serie--Parámetros de
la impedancia de la señal
• Calificado hasta un máximo de la operación de 50 VDD
• Protección integrada del ESD
• paquete plástico capaz 225°C
• RoHS obediente
• En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades por 44 milímetros,
carrete de 13 pulgadas.
Diseñado sobre todo para el CW grande--usos de la salida y del
conductor de la señal con
frecuencias hasta 450 megaciclos. Los dispositivos son
incomparables y son convenientes para el uso adentro
usos industriales, médicos y científicos.
| Fabricante | USA Inc. | |
|---|---|---|
| Serie | - | |
| Empaquetado | Cinta y carrete (TR) | |
| Situación de la parte | No para los nuevos diseños | |
| Tipo del transistor | LDMOS | |
| Frecuencia | 220MHz | |
| Aumento | 25dB | |
| Voltaje - prueba | 50V | |
| Grado actual | - | |
| Figura de ruido | - | |
| Actual - prueba | 450mA | |
| Poder - salida | 150W | |
| Voltaje - clasificado | 110V | |
| Paquete/caso | TO-272BB | |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-272 WB-4 | |
| Número de parte bajo | MRF6V2150 |
| Lista de otros componentes electrónicos en existencia | ||||
| NÚMERO DE PARTE | MFG/BRAND | NÚMERO DE PARTE | MFG/BRAND | |
| 843003AGLFT | IDT | AT30TS75-SS8-T | ATMEL/ADESTO | |
| NJM2274R | JRC | TA7900F | TOSHIBA | |
| RQK0303MGDQATL-H | RENESAS | XC2S300E-6FG456C | XILINX | |
| OZ9RRAGN | MICRO | TLP5701 (D4-TP | TOSHIBA | |
| 08-0911-01 | SISCO | MP86963DUT-LF-Z | P.M. | |
| PN5441A2ET/C30701@157 | EL7566AIREZ | INTERSIL | ||
| ML5824EM | Ml | ECHU1H223JX5 | PANASONIC | |
| LTC3735EG#TRPBF | LINEAR | WM8994ECS/R | WOLFSON | |
| CLC401AJP | NS | TYZ94077EGR2 | FREESCALE | |
| XC6SLX9-2TQG144I | XC | S-24CS16A0I-J8T1G | SII | |
| VLS252012T-1R5N1R4 | TDK | OZ9910SN-B2-0 | OMICRO | |
| ML4861CS-5 | MICRO | MAX851ESA | MÁXIMA | |
| LM4902MMX/NOPB | NS | LM49450SQ/NOPB | TI | |
| H5TC4G63CFR-PBA | SKHYNIX | AU3873-B53-JCN-GR | FITILINK | |
| UTC75185L | UTC | SH66P51P | SINOWEA | |
| PM3388-FGI | PMC | PCA9698DGG | ||
| NPDS404 | FAICHIL | FR9886SPGTR | PITIPOW | |
| MRMS501A | NEC | 08-0284-01 | CISCO | |
| IMP708ESA/T | IMP | TLC374CDR | TI | |
| CXA1310AQ | SONY | MAX207EEAG+T | MÁXIMA | |
Lateral del modo del aumento del canal N del transistor de poder del Mosfet MRF6V2150NBR1
Carro de la investigación
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