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METROsistema operativoFhora del EsteFuerzaElectrónicaMGSF2N02ELT1G SOT-23 Paquete 2.8 A 20 VN Modo de mejora de canal Transistor MOSFET
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2,5 V, 4,5 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.6A, 4.5V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 3,5 nC a 4 V | |
Vgs (Máx.) | ±8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150 pF a 5 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 1,25 W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquete / Caja |
Estos MOSFET de montaje en superficie en miniatura de bajo RDS (encendido) aseguran
mínima pérdida de energía y conservan energía, lo que hace que estos dispositivos sean ideales
para uso en circuitos de administración de energía sensibles al espacio.
Características
• Low RDS (on) proporciona una mayor eficiencia y prolonga la vida útil de la batería
• El paquete de montaje en superficie SOT−23 en miniatura ahorra espacio en la placa
• IDSS especificado a temperatura elevada
• AEC Q101 calificado y compatible con PPAP − MVSF2N02EL
• Estos dispositivos están libres de plomo y cumplen con RoHS
Aplicaciones
• Convertidores CC−CC
• Gestión de energía en productos portátiles y alimentados por batería, es decir:
Computadoras, Impresoras, Tarjetas PCMCIA, Celulares e Inalámbricos
Teléfonos