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Ltd. internacional del este de Stor

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Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDarren Ma

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DMN26D0UFB4-7 Diodos Mosfet Modo de mejora Mosfet 20V N-Chan X2-DFN1006

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Número de modelo :DMN26D0UFB4-7

Lugar de origen :UAS

Cantidad mínima de pedido :1 piezas

Condiciones de pago :T/T, L/C

Capacidad de suministro :300000 PCS + 48 horas

Tiempo de entrega :24-72hours

Detalles del embalaje :Carrete

DIODOS :DMN26D0UFB4-7

Paquete :Se trata de un sistema de control de las emisiones.

Número de canales :1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :20 V

Id. Corriente de drenaje continua :240 mA

disipación del Paladio-poder :350 mW

Temperatura de trabajo mínima :-55℃

Temperatura de trabajo :+150℃

Cantidad que embala :3000 PC

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DMN26D0UFB4-7 Diodos MOSFET Modo de mejora MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Fabricante: Diodos Incorporated
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Tipo de instalación: SMD/SMT
Envase/caja: X2-DFN1006-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1
VdS-fuente de descarga tensión de ruptura: 20 V
Id corriente de escape continua: 240 mA
Rds Resistencia de la fuente de descarga: 3 Ohms
Vgs - tensión de la fuente de la puerta: - 12 V, + 12 V
Vgs voltaje umbral de la fuente de la puerta: 600 mV
Carga de la puerta Qg:
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Disposición de energía Pd: 350 mW
Modo de canal: Mejoramiento
Serie: DMN26
Embalaje: carrete
Configuración: único
Tiempo de caída: 15,2 ms
Transconductividad hacia adelante - mínimo: 180 mS
Tiempo de elevación: 7,9 ns
Envasado: 3000 PCS
Tipo de transistor: 1 canal N
Tiempo típico de retraso de apagado: 13,4 ns
Tiempo típico de retraso: 3,8 ms
Unidad de peso: 1 mg

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