MOSFET Power Electronics MGSF2N02ELT1G SOT-23 Paquete 2.8 A 20 VN Modo de mejora de canal Transistor MOSFET

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Number modelo :MGSF2N02ELT1G

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :20 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :2.8A (TA)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :2.5V, 4.5V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :85mOhm @ 3.6A, 4.5V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :3,5 nC @ 4 V

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Etiquetas de productos:

p-channel mosfet sot-23

Carro de la investigación 0

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	2.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5 V, 4,5 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	3,5 nC a 4 V
Vgs (Máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	150 pF a 5 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	1,25 W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3